| 主权项 |
1.一种基体支持组装包含:一非金属主体,具有一支持表面用以支持一基体及一自该支持表面向外伸展且实质地包围位在该非金属主体上的一基体的内建周围外环部份,该外环部份界定一整合离子聚焦环,其被构建以将电浆及RF场线导离位于该支持表面上的一基体的边缘,以便使基体的外露表面在制程中被外露于一实质均匀场中;至少一个由该非金属主体所承载用以藉由静电方式将一基体耦合至该非金属主体的该支持表面上的电极;及一耦合至该非金属主体的下侧的基座,用以在该非金属主体及该基座间作热传导,该基座伸展于该支持表面及该非金属主体的该外缘部份下方,该基座由一热传导性材料所形成用以均匀冷却该非金属主体的该支持表面及该外环部份。2.如申请专利范围第1项所述的基体支持组装,其中该外环部份的一上表面及该支持表面界定该非金属主体的一第一主表面,该非金属主体具有一与该第一主表面分隔的第二主表面及一接合该第一主表面与第二主表面的一周边缘,该基座具有一与该非金属主体的该第二主表面为连续的一第一主表面。3.如申请专利范围第1项所述的基体支持组装,其中该外环部份自该支持表面向上突起使该支持表面界定该非金属主体的一凹陷中央部份。4.如申请专利范围第3项所述的基体支持组装,其中该外环部份具有一上表面及一接合该周围外缘部份的该上表面及该支持表面的一倾斜内表面。5.如申请专利范围第1项所述的基体支持组装,其中该非金属主体由一陶磁材料所形成。6.如申请专利范围第1项所述的基体支持组装,进一步包含一由该非金属主体所承载的第二电极,用以藉由静电方式将一基体耦合至该非金属主体的该支持表面。7.如申请专利范围第1项所述的基体支持组装,其中该电极伸展于该具有较支持于该支持表面上的基体为大之尺寸的非金属主体之面积。8.如申请专利范围第1项所述的基体支持组装,进一步包含一用以将热能自该基座除去的一除热系统。9.如申请专利范围第8项所述的基体支持组装,其中该除热系统包括形成于该基座用以供冷却液流经其中的通路。10.如申请专利范围第9项所述的基体支持组装,其中该除热系统包括一耦接至该通路用以循环该冷却液经该通路的冷却液源。11.如申请专利范围第1项所述的基体支持组装,其中该支持表面由多数个用以支持一基体的指状构造所形成,该指状构造在指状构造之间定义一网路,用以在该支持表面及基体的下侧间分布一惰性气体。12.如申请专利范围第1项所述的基体支持组装,其中该一半导体晶圆由该电极以静电方式吸附在该支持表面上。13.一用以在电浆加强型处理中支持一基体的一组装包含:一基座组装;一覆盖在该基座组装上之支持主体,具有一用以支持一基体的基体支持区域及一自该支持表面向外伸展并实质包围该支持表面且被构建用以将电浆及RF场线导向基体的外围边缘的外向,以便使基体的外露表面在制程中被外露于一实质均匀场中,该支持区域包括多数分隔开,用以支持一基体之向上突起的指针,及一设于该指状构造之间用以分布在基体的下侧邻近的惰性冷却气体的分布网路,该支持主体被耦合至该基座以在该支持主体及该基座间作热传导;及一由该支持主体及该基座中之一所承载用以藉由静电方式将一基体耦合至该支持表面的一偏压半导体晶圆。14.如申请专利范围第13项所述的组装,其中该基座实质地伸展至该支持主体的周围边缘。15.如申请专利范围第13项所述的组装,进一步包含一耦接至该基座用以将热能自该基座除去的冷却系统。16.如申请专利范围第13项所述的组装,其中该外环部份自该支持区域向上伸展以定义一围绕位在该支持区域上的一基体的外围边缘伸展用以隔绝该支持区域及基体的下侧的屏障突起物。17.如申请专利范围第16项所述的组装,其中该外环部份具有一上表面及一接合该外环部份的该上表面及该支持表面的一倾斜内表面。18.如申请专利范围第13项所述的组装,其中该支持主体由一非金属材料所形成。19.如申请专利范围第13项所述的组装,其中该偏压装置包含装在该支持主体上的第一及第二电极。20.如申请专利范围第19项所述的组装,其中该电极伸展于一具有较在该支持区域上所支持的一基体为大之尺寸的该支持主体之区域上。21.如申请专利范围第13项所述的组装,其中一半导体晶圆藉由该偏压装置以静电方式吸附于该持区域。22.一种用于处理过程中固持一基体的支持系统包含:一陶磁主体具有一第一主表面设有一被构建以支持一基体的一支持表面及一整合离子聚焦环,被构建以将电浆及RF场线导向基体的外围边缘,以便使基体的外露表面在制程中被外露于一实质均匀场中,一与该第一主表面分隔的第二主表面,及一连接该第一及第二主表面的一周围边缘;由该陶磁主体所承载用以藉由静电方式将一基体钳夹至该支持表面的第一及第二电极;一装设在该陶磁主体上的金属基座构件,该基座构件伸展于该第二主表面至该陶磁主体的周围边缘以在该陶磁主体及该基座之间作热传导以对该陶磁主体进行均匀冷却;及一用以自该基座构件将热除去之冷却系统。23.如申请专利范围第22项所述的支持系统,其中该离子聚焦环自该支持区域向上伸展以定义一围绕位在该支持区域上的一基体的外围边缘伸展用以隔绝该支持区域上及基体的下侧的屏障突起物。24.如申请专利范围第23项所述的支持系统,其中该离子聚焦环具有一上表面及一连接该周围外缘部份及该支持表面的一倾斜内表面。25.如申请专利范围第22项所述的支持系统,其中该冷却系统包括一形成于该基座构件用以使冷却液流经该基座构件的通道。26.如申请专利范围第22项所述的支持系统,其中该第一及第二电极在由位于该支持表面上的一基体所覆盖的该支持表面的区域内向外伸展。27.如申请专利范围第22项所述的支持系统,其中该支持表面由多数个上升区域所形成用以支持一基体,该上升区域被界定一用以在该支持表面及基体的下侧之间分布惰性冷却气体的网路的多数个凹谷所分隔。28.如申请专利范围第22项所述的支持系统,其中一半导体晶圆藉由该第一及第二电极以静电方式附着于该支持表面。29.如申请专利范围第1项的基体支持组装,其中该基座由金属形成。图式简单说明:第一图为依照本发明所建构的一静电支持组装的一简图,所显示者为安装于一处理室中。第二图为第一图之静电支持组装的一截面图,所显示者为支持一半导体晶圆。第三图为第一图的静电支持组装的电极图形的一顶视图。第四图为第一图的静电支持组装的部份剖视放大截面图,显示支持一半导体晶圆。第五图为第一图的静电支持组装的一顶视平面图。第六图为取自第五图的线6–6的支持表面的放大截面图,显示支持一半导体晶圆。 |
