在半导体元件中形成闸电极之方法

摘要

一种在半导体元件中形成闸电极之方法其可以有效避免金属层不正常氧化而不产生TB和在闸极再氧化制程时损坏闸极绝缘层；在本发明中,由铱(Ir)层、钌(Ru)层和锇(Os)层所构成的群组中所选之一可以形成非挥发性导电金属氧化层,被用来作为闸电极的金属层以取代传统的W层;因此，虽然是以知方法进行闸极再氧化制程，但是可以有效避免金属层不正常氧化,并形成均匀的氧化层于闸电极的边壁上;而且，因为氧化层是导电的，闸电极的电阻可以降低。[选择图

主权项

1.一种在半导体元件中形成闸电极之方法,具有下列步骤:依序形成闸极绝缘层和多晶矽层于半导体基板上;形成扩散障碍层于多晶矽层上;形成金属层于扩散障碍层上,金属层于氧化时形成导电罩幕氧化层;蚀刻金属层,扩散障碍层和多晶矽层以形成闸电极;以及氧化所形成的基板藉由闸极再氧化制程。2.如申请专利范围第1项之方法,其中金属层是由铱(Ir)层、钌(Ru)层和锇(Os)层所构成的群组中所选之一所形成。3.如申请专利范围第1项之方法,其中金属层形成的厚度为300到1000。4.如申请专利范围第2项之方法,其中金属层形成的厚度为300到1000。5.如申请专利范围第1项之方法,其中扩散障碍层是由TiN层或是WN层所形成。6.如申请专利范围第1项之方法,其中闸极再氧化制程是在氧气氛下700至900℃的温度中形成。图式简单说明:第一图是根据传统的的W-闸电极的横截面图。第二图A到第二图C是根据本发明实施例形成Ir-闸电极制程的横截面图。