| 主权项 |
1.一种决定摆动曲线中暗明曝光量的方法,包含以下各步骤:以复数片档片各镀上不同厚度的光阻;以具备关键尺寸条(Critical Dimension Bar;CD Bar)图案的光罩,对该复数片档的每一基片进行暗明曝光,使该每一基片具备该图案;进行显影;以光学仪器检查该复数片档片上的每一基片之该图案;记录该图案中接受光源照射的光阻被完全去除时的曝光量;以该复数片档片的光阻厚度为纵轴,该图案中接受光源照射的光阻被完全去除时的曝光量为横轴,画出一条曲线;以及视后续蚀刻制程的目的选择该曲线中的点。2.依申请专利范围第1项之决定摆动曲线中暗明曝光量的方法,其中该档片为矽晶片。3.依申请专利范围第1项之决定摆动曲线中暗明曝光量的方法,其中该光学仪器为扫瞄式电子显微镜。4.依申请专利范围第1项之决定摆动曲线中暗明曝光量的方法,其中选择该曲线中的点是波峰点。5.依申请专利范围第1项之决定摆动曲线中暗明曝光量的方法,其中选择该曲线中的点是波谷点。6.一种决定摆动曲线中暗明曝光量的方法,包含以下各步骤:以复数片矽晶片档片各镀上不同厚度的光阻;以具备关键尺寸条图案的光罩,对该复数片档片的每一基片进行暗明曝光,使该每一基片具备该图案;进行显影;以扫瞄式电子显微镜检查该复数片档片上的每一基片之该图案;记录该图案中接受光源照射的光阻被完全去除时的曝光量;以该复数片档片的光阻厚度为纵轴,该图案中接受光源照射的光阻被完全去除时的曝光量为横轴,画出一条曲线;以及视后续蚀刻制程的目的选择该曲线中的点。7.依申请专利范围第6项之决定摆动曲线中暗明曝光量的方法,其中选择该曲线中的点是波峰点。8.依申请专利范围第6项之决定摆动曲线中暗明曝光量的方法,其中选择该曲线中的点是波谷点。图式简单说明:第一图为由曝光能量大小与光阻厚度所构成的近似正弦波形之摆动曲线的示意图。第二图为以无图案的光罩对晶片进行重覆且步进的曝光的示意图。第三图为关键尺寸条图案的示意图。 |
