| 主权项 |
1.一种在金属膜层蚀刻程序中防止附着于蚀刻反应室内壁上之聚合物剥落的装置,该装置至少包含:气体输送管,沿伸至该蚀刻反应室之上方,用以传送气体至该蚀刻反应室外表面;及加热装置,用以加热该气体输送管中所输送之该气体,其中该气体输送管可将加热后之该气体,输送至该蚀刻反应室上方,且朝该蚀刻反应室外表面吹拂,而维持该蚀刻反应室之温度高于80℃,以避免附着于该蚀刻反应室内壁上之聚合物产生龟裂并剥落。2.如申请专利范围第1项之装置,其中更包括一温度控制装置,回应于蚀刻机台之自动防护装置,且耦合于该加热装置,当该自动防护装置启动而停止以照射灯加热该蚀刻反应室时,启动该加热装置以加热该气体输送管中之该气体。3.如申请专利范围第2项之装置,其中当该气体被该加热装置加热至高于150℃时,该温度控制装置可暂停该加热装置之操作。4.如申请专利范围第1项之装置,其中更包括一温度控制装置,耦合于该加热装置与该蚀刻反应室,当该蚀刻反应室之温度小于75℃时,启动该加热装置,以加热该气体输送管中之该气体。5.如申请专利范围第4项之装置,其中当该气体被该加热装置加热至高于150℃时,该温度控制装置可暂停该加热装置之操作。6.如申请专利范围第1项之装置,其中更包括一温度控制装置,耦合于该加热装置与该蚀刻反应室,当蚀刻机台之电力供应发生故障时,启动该加热装置,以加热该气体输送管中之该气体。7.如申请专利范围第1项之装置,其中更包括一气体控制阀,位于该气体输送管上,当所输送之该气体被该加热装置加热至高于100℃时,该气体控制阀可开启,以便该气体输送管可输送该气体至该蚀刻反应室外表面。8.如申请专利范围第7项之装置,其中更包括一保温棉,位于该气体控制阀与该蚀刻反应室之间,且包覆于该气体输送管外表面,用以保持所传送该气体之温度。9.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之该气体是由N2所构成。10.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之加热装置是由环绕于气体输送管上之加热线圈所构成。11.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之蚀刻反应室属于DPS蚀刻机台。12.一种在金属膜层蚀刻程序中防止附着于DPS蚀刻机台其蚀刻反应室内壁上之聚合物剥落的装置,该装置至少包含:气体输送管,沿伸至该蚀刻反应室上方,用以传送气体至该蚀刻反应室外表面;加热装置,用以加热该气体输送管中之该气体,以便该气体输送管可将加热后之该气体,朝该蚀刻反应室外表面吹拂,而维持该蚀刻反应室之温度高于80℃,以避免附着于该蚀刻反应室内壁上之聚合物产生龟裂并剥落;温度控制装置,耦合于该加热装置,用以启动该加热装置,以加热该气体输送管中之该气体;气体控制阀,位于该气体输送管上,当该气体被加热至高于100℃时,该气体控制阀可开启,以便该气体输送管可输送该气体至该蚀刻反应室外表面;及保温棉,位于该气体控制阀与该蚀刻反应室之间,且包覆于该气体输送管外表面,用以保持所传送该气体之温度。13.如申请专利范围第12项之装置,其中上述之温度控制装置,可回应于该DPS蚀刻机台之自动防护装置,且耦合于该加热装置,当该自动防护装置启动而停止以照射灯加热该蚀刻反应室时,启动该加热装置以加热该气体输送管中之该气体。14.如申请专利范围第12项之装置,其中上述之温度控制装置,耦合于该加热装置与该蚀刻反应室,当蚀刻机台之电力供应发生故障时,可启动该加热装置,以加热该气体输送管中之该气体。15.如申请专利范围第12项之装置,其中上述之温度控制装置,并耦合于该加热装置与该蚀刻反应室,当该蚀刻反应室之温度小于75℃时,可启动该加热装置,以加热该气体输送管中之该气体。16.如申请专利范围第12项之装置,其中当该气体被该加热装置加热至高于150℃时,该温度控制装置可暂停该加热装置之操作。17.如申请专利范围第12项之装置,其中上述之该气体是由N2所构成。18.如申请专利范围第12项之装置,其中上述之该蚀刻反应室是由陶瓷材料所构成。19.如申请专利范围第12项之装置,其中上述之加热装置是由环绕于气体输送管上之加热线圈所构成。图式简单说明:第一图为DPS蚀刻反应室之配置图,用以显示在传统技术中使用DPS蚀刻机台对金属膜层进行蚀刻程序之概状;第二图为半导体晶片之截面图,显示当蚀刻反应室之温度下降时,附着于蚀刻反应室内壁上之聚合物,会产生龟裂且剥落,而造成金属膜层蚀刻不完全;及第三图为DPS蚀刻反应室配置图,显示根据本发明在蚀刻反应上方,连接气体输送管与加热装置,以维持蚀刻反应室之温度,并避免蚀刻反应室内壁上之聚合物龟裂与剥落。 |
