| 主权项 |
1.一种柱状电容器下电极的制造方法,其方法包括下列步骤:提供已形成一电晶体之一基底,该电晶体具有一闸极,一间隙壁及一源极/汲极区,其中该电晶体之该源极/汲极区位于该电晶体之该闸极两侧之该基底中;在该基底上形成一内介电层;在该内介电层中形成一储存节点开口,暴露出该源极/汲极区;在该内介质层上形成一复晶矽层,并填满方储存节点开口而与该源极/汲极区电性耦接;定义一储存节点区域对应于该储存节点,并去除该储存节点区域以外具特定厚度的部分该复晶矽层;在该储存节点区域的该复晶矽层侧壁形成一氮化物间隙壁;以该氮化物间隙壁为罩幕及该内介电层为蚀刻终止层,去除部分该复晶矽层;以及去除该氮化物间隙壁,形成由该复晶矽层所架构的一下电极。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成内介电层的方法包括化学气相沉积法。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该氮化物间隙壁的方法更包括:形成一氮化层;以及去除部分该氮化层。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该氮化层的形成方法包括化学气相沉积法。5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中去除部分该氮化层的方法包括回蚀刻法。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中去除该氮化物间隙壁的方法包括湿式蚀刻法。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氮化物间隙壁与该内介电层具有不同的蚀刻选择率。8.一种储存电极的制造方法,适用于已形成一电晶体之一基底,该电晶体具有一闸极,一间隙壁及一源极/汲极区,其中该电晶体之该源极/汲极区位于该电晶体之该闸极两侧之该基底中,形成一介电层,在该介电层中形成一与该源极/汲极区电性耦接之位元线,在该位元线上形成一氧化层,并在该氧化层与该介电层中形成一储存节点开口,该储存节点开口暴露出该源极/汲极区,该方法包括:在该氧化层上形成一复晶矽层,并填满方储存节点开口而与该源极/汲极区电性耦接;定义一储存节点区域对应于该储存节点开口,并去除该储存节点区域以外具特定厚度的部分该复晶矽层;在该储存节点区域的该复晶矽层侧壁形成一氮化物间隙壁;以该氮化物间隙壁为罩幕及该氧化层为蚀刻终止层,去除部分该复晶矽层;以及去除该氮化物间隙壁。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中形成内介电层的方法包括化学气相沉积法。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中形成该氮化物间隙壁的方法更包括:形成一氮化层;以及去除部分该氮化层。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该氮化层的形成方法包括化学气相沉积法。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中去除该氮化层的方法包括回蚀刻法。13.如申请专利范围第8项所述之方法,其中去除该氮化物间隙壁的方法包括湿式蚀刻法。14.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该氮化物间隙壁与该内介电层具有不同的蚀刻选择率。图式简单说明:第一图A至第一图H所绘示的系为习知柱状电容器制造方法的流程剖面图;以及第二图A至第二图H其所绘示的系依照本发明一实施例,一种形成柱状电容器结构制造方法的流程剖面图。 |
