| 主权项 |
1.一种DRAM电容器下电极之制造方法,包括:形成一矽层于一半导体基底上,该矽层具有一沟槽;形成共型之一第一介电层于该矽层上;形成一第二介电层于该第一介电层上,且填入该沟槽中;回蚀刻该第二介电层直至曝露出该第一介电层;移除一部分的该第一介电层直至曝露出该矽层;移除该第二介电层;以及使用该第一介电层作为一罩幕,蚀刻该矽层,藉以使得位在该基底上的该矽层可形成一圆柱状结构。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一介电层包括氮化矽。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该第二介电层包括氧化矽。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一介电层包括氧化矽。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该第二介电层包括氮化矽。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该矽层系一非结晶矽层,且该非结晶矽层之该沟层具有一深度约为2000埃。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该第一介电层之厚度约介于0至5000埃之间。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该第二介电层之厚度约为2000埃。9.如申请专利范围第8项之方法,其中回蚀刻该第二介电层之方法包括一乾蚀刻技术。10.如申请专利范围第9项之方法,其中移除该第一介电层之方法包括一乾蚀刻技术。11.如申请专利范围第10项之方法,其中移除该第二介电层之方法包括浸泡于一酸槽溶液中。12.如申请专利范围第11项之方法,其中蚀刻该矽层之方法包括一矽乾蚀刻技术。13.一种具有半球型矽晶粒之DRAM电容器下电极之制造方法,包括:形成一非结晶矽层于一半导体基底上,该非结晶矽层具有一沟槽;形成共型之一第一介电层于非结晶该矽层上;形成一第二介电层于该第一介电层上,且填入该沟槽中;回蚀刻该第二介电层直至曝露出该第一介电层;移除一部分的该第一介电层直至曝露出该非结晶矽层;移除该第二介电层;使用该第一介电层作为一罩幕,蚀刻该非结晶矽层,藉以使得位在该基底上的该非结晶矽层可形成一圆柱状结构;以及形成一半球型矽晶粒(HSG)层于该圆柱状结构之表面上,藉以形成一动态随机存取记忆体之一电容器的一圆柱状下电极板,其中该圆柱状下电极板具有半球型矽晶粒。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该第一介电层包括氮化矽。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该第二介电层包括氧化矽。16.如申请专利范围第13项之方法,其中该第一介电层包括氧化矽。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该第二介电层包括氮化矽。18.如申请专利范围第13项之方法,其中移除该第一介电层之方法包括一乾蚀刻回蚀技术。19.如申请专利范围第18项之方法,其中移除该第二介电层之方法包括浸泡于一酸槽溶液中。20.如申请专利范围第19项之方法,其中蚀刻该非结晶矽层之方法包括一矽乾蚀刻技术。图式简单说明:第一图显示提供一非结晶矽层具有第一介电层与第二介电层之剖面示意图。第二图显示回蚀刻第二介电层后所得结构之剖面示意图。第三图显示移除第一介电层用以曝露出非结晶矽层后所得结构之剖面示意图。第四图显示移除第二介电层后所得结构之剖面示意图。第五图显示使用剩余之第一介电层作为硬罩幕,蚀刻非结晶矽层后所得结构之剖面示意图。第六图显示具有半球型矽晶粒之圆柱状电容器之剖面示意图。 |
