绝缘膜之制造方法

摘要

当欲将CF膜作为半导体装置之层间绝缘膜使用时,存在着:在形成W(钨)之配线时，CF膜被加热至例如400℃~450℃附近，此时F系之气体则从CF膜脱离，而产生伴随着配线之腐蚀和膜减的各种不相宜等之问题。使用CF系气体及烃气体作为成膜气体，将此等气体电浆化后，藉其活性种将CF膜成膜于半导体晶圆上。接着，在配线形成前，使用N2、H或F2之气体作为处理气体，以流量50sccm~10slm、压力O.lPva~lMPva(H2气体为0.1Pva~100KPva)，在例如425℃之温度中进行10分～2小时之退火，使F、CF、CF2及CF3等从CF膜中脱离。因其脱离而产生之未结合手彼此间再结合，藉此提高热稳定性。

主权项

1.一种绝缘膜之制造方法,该绝缘膜系作为多层配线层间绝缘膜者,该制造方法包含有:成膜步骤--使含有碳及氟之化合物气体的成膜气体分解,在被处理基板上成膜为由氟添加碳膜所成之绝缘膜;及热处理步骤--接着将该氟添加碳膜热处理,使该膜之成分的一部分脱离。2.如申请专利范围第1项之绝缘膜之制造方法,其中该成膜步骤系将该成膜气体电浆化,藉共电浆在该被处理基板上成膜为由该氟添加碳膜所成之该绝缘膜。3.如申请专利范围第1项之绝缘膜之制造方法,其中该热处理步骤系为在惰性环境中将该氟添加碳膜退火之步骤。4.如申请专利范围第1项之绝缘膜之制造方法,其中该热处理步骤系为在氢气环境中将该氟添加碳膜退火之步骤。5.如申请专利范围第1项之绝缘膜之制造方法,其中该热处理步骤系为在氟氮环境中将该氟添加碳膜退火之步骤。图式简单说明:第一图为一纵断侧面图,显示用来实施本发明方法之电浆处理装置的一例;第二图为一纵断侧面图,显示用来实施本发明实施形态的退火装置之一例;第三图为一纵断侧面图,显示用来实施本发明实施形态之另一例;第四图系用以调查薄膜重量变化的测定装置之简略断面图;第五图为一特性图,显示就由本发明之实施形态所成膜的CF膜的、退火氛围气及退火时间与重量变化之关系;第六图为一说明图,系将CF膜之C-F结合断掉后再结合之状态,概念性地表示者;第七图为一特性图,显示在高温下就CF膜进行质量分析之结果;第八图为一构造图,显示半导体装置构造之一例。