| 主权项 |
1.一种准确决定低压化学气相沈积系统其真空管路之清理时机的方法,该低压化学气相沈积系统具有一补充气体源、一反应器、一质流控制表,其中,该质流控制表系用以控制该补充气体源之流量,以藉由该补充气体源调节该反应器的压力,该方法包括:在每一批次沈积的过程中,读取该质流控制表之流量値;以该质流控制表之流量値与沈积的批次作图,以获得一曲线;以该曲线判断该质流控制表之流量値为零之批次;以及在执行该质流控制表之流量値为零之批次的沈积步骤之前,清理该低压化学气相沈积系统之真空管路。2.一种准确决定低压化学气相沈积系统其真空管路之清理时机的方式,该低压化学气相沈积系统具有一补充气体源、一反应器、一质流控制表,其中,该质流控制表系用以控制该补充气体源之流量,以藉由该补充气体源调节该反应器的压力,该方法包括:在每一批次沈积的过程中,读取该质流控制表之流量値;以该质流控制表之流量値的变化量推测该质流控制表之流量为零之批次;以及执行该质流控制表之数値为零之批次的沈积步骤之前,清理该低压化学气相沈积系统之真空管路。3.一种自动决定低压化学气相沈积系统其真空管路之清理时机的方式,该低压化学气相沈积系统具有一补充气体源、一反应器、一质流控制表以及一工作站,其中,该质流控制表系用以控制该补充气体源之流量,以藉由该补充气体源调节该反应器的压力,该方法包括:在进行沈积前,提供一模拟气体于该系统中;读取该质流控制表之流量値以该工作站对该质流控制表之流量値做判断;当流量値为零时,自动停机;以及执行清理该低压化学气相沈积系统之真空管路。4.如申请专利范围第3项所述之自动决定低压化学气相沈积系统其真空管路之清理时机的方法,其中该模拟气体包括惰性气体。5.如申请专利范围第3项所述之自动决定低压化学气相沈积系统其真空管路之清理时机的方法,其中该模拟气体包括氮气。6.如申请专利范围第4项所述之自动决定低压化学气相沈积系统其真空管路之清理时机的方法,其中该模拟气体包括氮气。7.一种自动决定低压化学气相沈积系统其真空管路之清理时机的方法,该低压化学气相沈积系统具有一补充气体源、一反应器、一质流控制表,其中,该质流控制表系用以控制该补充气体源之流量,以藉由该补充气体源调节该反应器的压力,该方法包括:在进行沈积前,提供一模拟气体于该系统中;读取该质流控制表之流量値;以及当该质流控制表之流量値为零时停机,并执行清理该低压化学气相沈积系统之真空管路。8.如申请专利范围第7项所述之自动决定低压化学气相沈积系统其真空管路之清理时机的方法,其中该模拟气体包括惰性气体。9.如申请专利范围第7项所述之自动决定低压化学气相沈积系统其真空管路之清理时机的方法,其中该模拟气体包括氮气。10.如申请专利范围第8项所述之自动决定低压化学气相沈积系统其真空管路之清理时机的方法,其中该模拟气体包括氮气。图式简单说明:第一图是习知一种低压化学气相沈积系统的示意图;第二图是依照本发明第一实施例一种低压化学气相沈积系统的示意图;第三图是依照本发明第二实施例一种低压化学气相沈积系统的示意图;第四图绘示本发明第一实施例一种准确决定低压化学气相沈积系统其真空管路之清理时机的流程图。第五图是依照本发明第二实施例一种自动决定低压化学气相沈积系统其真空管路之清理时机的流程图;第六图、第七图与第八图是依照本发明第二实施例在三次进行薄膜沈积前,先通入模拟气体于反应器中,然后将模拟气体抽离,再进行薄膜沈积步骤,以及停止沈积步骤,其四阶段步骤与质流控制表之流量値的关系图;以及第九图是依照本发明实施例其质流控制表之气体流量値与沈积系统所沈积之晶片批数的关系图。 |
