| 主权项 |
1.一种改善分离闸极式快闪记忆体氧化层品质的方法,适用在一基底上,该基底上依序形成有一穿隧氧化层、一第一复晶矽层与一罩幕层,该罩幕层暴露出部分该第一复晶矽层,该裸露之第一复晶矽层为一预定形成浮置闸之区域,该方法包括:于该裸露之第一复晶矽层上形成一复晶矽氧化层;剥除该罩幕层,以该复晶矽氧化层为罩幕,去除部分该第一复晶矽层,形成一浮置闸;进行一热氧化步骤,于该浮置闸侧壁形成一氧化间隙壁,且增厚该复晶矽氧化层和未被该氧化间隙壁遮盖之该穿隧氧化层;在该氧化间隙壁的侧壁形成一氮化间隙壁;以该氮化间隙壁为罩幕,去除未被该氧化间隙壁遮盖之该穿隧氧化层,以暴露出该基底;于该基底上形成一氧化层,其中该氧化层的厚度较该穿隧氧化层厚;以及于该复晶矽氧化层上形成一控制闸。2.如申请专利范围第1项所述之改善分离闸极式快闪记忆体氧化层品质的方法,其中该穿隧氧化层的形成方法包括热氧化法。3.如申请专利范围第1项所述之改善分离闸极式快闪记忆体氧化层品质的方法,其中该穿隧氧化层的厚度约为85-95埃。4.如申请专利范围第1项所述之改善分离闸极式快闪记忆体氧化层品质的方法,其中该罩幕层的材质包括氮化矽。5.如申请专利范围第1项所述之改善分离闸极式快闪记忆体氧化层品质的方法,其中该复晶矽氧化层的形成方法包括热氧化法。6.如申请专利范围第1项所述之改善分离闸极式快闪记忆体氧化层品质的方法,其中形成该氮化间隙壁的方法包括下列步骤:于该基底上全面沉积一氮化层;以及进行一蚀刻步骤,以于该氧化间隙壁的侧壁形成一氮化间隙壁。7.如申请专利范围第6项所述之改善分离闸极式快闪记忆体氧化层品质的方法,其中该蚀刻步骤会破坏末被该氧化间隙壁遮盖之该穿隧氧化层。8.如申请专利范围第1项所述之改善分离闸极式快闪记忆体氧化层品质的方法,其中该氧化层的形成方法包括热氧化法。9.如申请专利范围第1项所述之改善分离闸极式快闪记忆体氧化层品质的方法,其中该氧化层的厚度约为200-220埃。10.如申请专利范围第1项所述之改善分离闸极式快闪记忆体氧化层品质的方法,其中该氧化层系做为周边高压元件之闸氧化层之用。11.一种分离闸极式快闪记忆体的制造方法,适用在一基底上,该基底上形成有一穿隧氧化层、一浮置闸与一复晶矽氧化层,该方法包括:进行一热氧化步骤,于该浮置闸侧壁形成一氧化间隙壁,以及在未被该氧化间隙壁遮盖之该基底上形成一第一氧化层,其中该第一氧化层的厚度大于该穿隧氧化层;在该氧化间隙壁的侧壁形成一氮化间隙壁;以该氮化间隙壁为罩幕,去除未被该氮化间隙壁遮盖之该第一氧化层,以暴露出该基底;于该基底上形成一第二氧化层;以及于该复晶矽氧化层上形成一控制闸。12.如申请专利范围第11项所述之分离闸极式快闪记忆体的制造方法,其中该穿隧氧化层的形成方法包括热氧化法。13.如申请专利范围第11项所述之分离闸极式快闪记忆体的制造方法,其中该穿隧氧化层的厚度约为85-95埃。14.如申请专利范围第11项所述之分离闸极式快闪记忆体的制造方法,其中该复晶矽氧化层的形成方法包括下列步骤:形成一第一复晶矽层与一罩幕层,该罩幕层暴露出部分该第一复晶矽层,该裸露之第一复晶矽层为一预定形成浮置间之区域;进行一热氧化步骤,于该裸露之第一复晶矽层上形成一复晶矽氧化层;以及剥除该罩幕层。15.如申请专利范围第11项所述之分离闸极式快闪记忆体的制造方法,其中该浮置闸的形成方法包括下列步骤:以该复晶矽氧化层为罩幕,去除部分该第一复晶矽层,形成一浮置闸。16.如申请专利范围第14项所述之分离闸极式快闪记忆体的制造方法,其中该罩幕层的材质包括氮化矽。17.如申请专利范围第11项所述之分离闸极式快闪记忆体的制造方法,其中形成该氮化间隙壁的方法包括下列步骤:于该基底上全面沉积一氮化层;以及进行一蚀刻步骤,以于该氧化间隙壁的侧壁形成一氮化间隙壁。18.如申请专利范围第17项所述之分离闸极式快闪记忆体的制造方法,其中该蚀刻步骤会破坏该第一氧化层。19.如申请专利范围第11项所述之分离闸极式快闪记忆体的制造方法,其中该第二氧化层的形成方法包括热氧化法。20.如申请专利范围第11项所述之分离闸极式快闪记体的制造方法,其中该第二氧化层的厚度约为200-220埃。21.如申请专利范围第11项所述之分离闸极式快闪记忆体的制造方法,其中该第二氧化层系做为周边高压元件之闸氧化层之用。图式简单说明:第一图A至第一图E所绘示的是习知一种分离闸极式快闪记忆体的制造流程剖面示意图;以及第二图A至第二图F所绘示的是依照本发明一较佳实施例,一种分离闸极式快闪记忆体的制造流程剖面示意图。 |
