| 主权项 |
1.一种半导体组件之制造方法,此种半导体组件是由半导体晶片(1)所构成,半导体晶片(1)之表面上具有已结构化之第一金属层(2,11),晶片(1)之表面是由钝化层(3)所覆盖,此方法特征是以下各步骤:a)在钝化层(3)中设置一些开口(14),b)藉由第一金属层(2,11)之分隔而产生至少一个分隔位置(11),c)在半导体晶片(1)之已结构化之侧面上于整面上涂布一层黏合层(7),d)在钝化层(3)中之开口(14)位置上以光罩施加于黏合层(7)上且对黏合层(7)进行蚀刻,其中第一金属层(2,11)在这些位置上不具备上述之分隔位置(11),e)在开口(14)中施加一些中间接触区(4)于第一金属层(2,11)上,f)施加一种布线(12),其于载体材料(8)上具有一种已结构化之第三金属层(6),g)藉由黏合层(7)在80至120℃之间加热使布线(12)与半导体晶片(1)相连接,h)在中间接触区(7)和布线(12)之第二金属层(6)之间产生一种冶金式连接(15),i)使黏合层(7)及时硬化,j)在布线(12)之接触面(13)上施加一些组件接触区(9)。2.一种半导体组件之制造方法,其特征为:冶金式连接(15)是藉由一种装置而产生,此种装置使布线(12)压在至少一中间接触区(4)上且以雷射加热之。3.一种半导体组件,系由半导体晶片(1)所构成,半导体晶片(1)在表面上具有一已结构化之第一金属层(2,11),金属层之一部份是由钝化层(3)所覆盖,钝化层(3)经由黏合层(7)而与可挠性布线(12)之载体材料(8)上之已结构化之第二金属层(6)相连接,第一(2,11)和第二(6)金属层经由中间接触区(4)而电性相连,此种半导体组件另具有一些与第二金属层相连之组件接触区(9),其特征为:已结构化之第一金属层(2,11)具有一些分隔位置(11),这些分隔位置(11)由黏合层(7)所覆盖。4.如申请专利范围第3项之半导体组件,其中黏合层具有光敏性,可被结构化且是热塑性的(thermoplastic);黏合层(7)是以聚醯亚胺为基料 (basis)所制成。图式简单说明:第一图系半导体晶片之横切面图,其在钝化层中具有开口且具有一层位于钝化层下方之第一金属层。第二图系半导体晶片之横切面图,其具有由第一金属层所分隔出之分隔位置。第三图系半导体晶片之横切面图,其在半导体晶片之已结构化之侧面上具有涂布于整面上之黏合层。第四图系半导体晶片之横切面图,其在钝化层之开口位置上具有已蚀刻之黏合层,其中第一金属层不具备上述之分隔位置。第五图系半导体晶片之横切面图,其中在第一金属之已蚀刻之位置上施加一些中间接触区。第六图系布线之横切面图。第七图系本发明半导体组件之横切面图。 |
