发明名称 单石陶瓷电子元件
摘要 本发明提出均很薄之内部电极,换言之厚度自0.2微米至0.7微米,因此即使陶瓷层薄,换言之厚度小于3微米时可抑制层离作用。该陶瓷层之陶瓷颗粒平均粒子大小小于0.5微米,因此介于内部电极与陶瓷层间之凹陷与凸起减少。呈浆糊形式以形成内部电极之金属粉末平均粒子大小自10至200毫微米为佳,如此可以加强金属填充率与内部电极之平滑度,并改善覆盖性。
申请公布号 TW432413 申请公布日期 2001.05.01
申请号 TW088103234 申请日期 1999.03.03
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 中村孝利;山名 毅;和田 信之;宫崎孝晴
分类号 H01G4/12 主分类号 H01G4/12
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种单石陶瓷电子元件,其具有包括数层经层压陶瓷层之层制物与内部电极,该经层压陶瓷层系由经烧结陶瓷原料粉末层形成,该内部电极系由经烧结金属粉末制得,而且位于该陶瓷层预定界面,其中该陶瓷层之厚度各小于3微米,该陶瓷层烧结后之陶瓷颗粒平均粒子大小小于0.5微米,该内部电极之厚度自0.2微米至0.7微米。2.如申请专利范围第1项之单石陶瓷电容器,其中该元件另外包含一种在该层制物各相对末端面形成之外部电极,该陶瓷层系由一种介电陶瓷形成,该数个内部电极之形成方式使每个内部电极边缘之一曝于该层制物末端面外,使该外部电极与该曝露之内部电极电连接,如此形成一种单石陶瓷电容器。3.如申请专利范围第1项之单石陶瓷电容器,其中使用一种含该金属粉末之浆糊形成该内部电极,该浆糊中之金属粉末厚度自10毫微米至200毫微米。4.如申请专利范围第1项之单石陶瓷电容器,其中该金属粉末系由卑金属制得。5.如申请专利范围第1项之单石陶瓷电容器,其中该卑金属包含镍。6.如申请专利范围第1项之单石陶瓷电容器,其中利用印刷法使用该含金属粉末浆糊之方法形成该内部电极。7.如申请专利范围第1项之单石陶瓷电容器,其中烧结形成该陶瓷层前该陶瓷原料粉末之平均粒子大小小于500毫微米。图式简单说明:第一图系本发明具体实例之单石陶瓷电容器1断面图。第二图系显示本发明更具体实例之单石陶瓷电容器横断面之照片,以扫描电子显微镜拍摄;及第三图系显示习用单石陶瓷电容器横断面之照片,以扫描电子显微镜拍摄。
地址 日本