| 主权项 |
1.一种检测至少一半导体晶圆于一半导体晶圆夹头上之设备,该夹头包含一支撑面,该设备至少包含:一压电感应器,安置于夹头上,该夹头具有至少一部份之压电感应器由支撑面向外延伸;及一信号量测电路,连接至该压电感应器及,于半导体晶圆被夹持在夹头之支撑面时,半导体啮合及压缩于该支撑面及该晶圆间之压电感应器,以使得压电感应器以压电方式产生为信号量测电路所接收之电力。2.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述之压电感应器系多数压电感应器,及其中上述之信号量测电路包含至少一尖峰检测电路,其被连接于压电感应器间,以及一比较电路连接至该尖峰检测电路。3.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述之设备系同时用以检测半导体晶圆夹持向半导体夹头之强度,及其中上述之信号量测电路检测该电力之数量,及该电力是否至少等于一预定量,该信号量测电路提供一指示半导体晶圆夹持向夹头之夹持强度。4.如申请专利范围第3项所述之设备,其中上述之压电感应器包含至少一压电感应器,及其中上述之信号量测电路包含至少一尖峰检测电路及一比较器电路,该尖峰检测电路连接于压电感应器及比较电路之间,该尖峰检测电路,用以接收该电力,并于该电力至少等于预定量时,该尖峰检测电路产生一信号给比较电路,及该比较电路产生一信号,以表示半导体晶圆夹向夹头之力量。5.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述之设备同时用以检测是该半导体晶圆系对中该支撑面,其中上述之支撑面包含一外圆周部,其中上述之压电感应器包含多数压电感应器等距定位于该外圆周部旁,及其中该信号量测电路产生一第一信号,以表示所有之压电感应器系产生电力及半导体晶圆系对中于该夹头上及用以产生一第二信号,以表示并非所有压电元件均产生电力,及半导体晶圆未对中于该夹头上。6.如申请专利范围第5项所述之设备,其中上述之信号量测电路包含多数尖峰检测电路,于数量上相等于诸压电感应器,及一比较电路,连接至该尖峰检测电路,每一尖峰检测电路连接于压电感应器之一。7.如申请专利范围第6项所述之设备,其中上述之设备系用以检测半导体晶圆夹持向半导体夹头之力量,及其中每一尖峰检测电路系用以提供一信号至该信号量测电路,于为多数尖峰检测电路所接收之电力至少等于一预定量之时,该预定量系比较电路提供一信号,以表示半导体晶圆夹持向夹头之夹持力量。8.如申请专利范围第2项所述之设备,其中上述之半导体晶圆夹头之支撑面系被提供有一晶圆支撑罩,其包含多数垫由支撑面向外延伸,及其中上述之至少一压电感应器替换至少一些。9.如申请专利范围第5项所述之设备,其中上述之半导体晶圆夹头之支撑面系被提供有一晶圆间隔罩,其包含多数垫由支撑面向外延伸,及其中预定量之垫系等距定位于支撑面之外圆周部,及其中上述之诸压电感应器替换诸预定量之垫。10.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述之压电感应器包含多层元件,于被压向夹头时,以压电方式产生电力。11.如申请专利范围第10项所述之设备,其中上述之多层元件包含至少两层钛及一层二氧化锌内插于诸钛层之间,以及,其中上述之钛层之一系固定至支撑面。12.一种用以检测一半导体晶圆夹持向一半导体夹头之力量之设备,至少包含:压电感应器,安装于夹头上,以至少一部份之压电感应器由支撑面向外延伸,及信号量测电路,连接至该压电感应器上,及于该半导体晶圆以足够强度被夹持向夹头,以于后续半导体晶圆处理时,维持半导体晶圆被夹持于夹头上,该压电感应器以压电方式产生预定量之电力,该电力系被信号量测电路所接收,以使得该信号量测电路产生一信号,以表示半导体晶圆被夹向夹头之力量。13.如申请专利范围第12项所述之设备,其中上述之压电感应器包含两层钛及一层二氧化锌安置于钛层之间;其中上述之信号量测电路包含至少一尖峰检测电路及一比较电路连接至该尖峰检测电路。14.一种用以检测是否一半导体晶圆系对中于半导体晶圆夹头之设备,该夹头包含一支撑面,具有一外圆周部,该设备至少包含:多数压电感应器,安置于该夹头上并彼此等距定位于该支撑面之外圆周旁;一信号量电路,连接至多数压电感应器,及于一半导体晶圆被放置于该夹头上时,并被夹持至夹头时,诸压电感应器系内插于半导体晶圆及该夹头之间,并被压缩并造成以压电方式产生电力,该电力系为信号量测电路所接收,于信号量测电路接收来自多数压电感应器之所有压电感应器之电力时,一第一信号系被产生,以表示半导体晶圆系对中于该夹头,及于信号量测电路检测电力并非为多数压电感应器中之所有压电感应器所产生时,一第二信号被产生,以表示半导体晶圆未对中于该夹头上。15.如申请专利范围第14项所述之设备,其中上述之每一压电感应器包含诸层之钛及一层之二氧化锌内插于诸钛层之间,及其中上述之信号量测电路包含多数尖峰检测电路,于数量上相等于诸多数压电感应器,及一比较电路,连接至诸尖峰检测电路,该尖峰检测电路分别连接于压电感应器上。16.一种用以决定是否一半导体晶圆系出现于一半导体晶圆夹头上之方法,至少包含步骤:内插至少一压电感应器于半导体晶圆及夹头之间,并夹持该半导体晶圆至该夹头,使得压电感应器以压电方式产生电力;及检测电力并产生一信号,以表示该半导体晶圆系出现于该夹头上。17.一种用以检测至少一半导体晶圆出现于一半导体晶圆夹头之支撑面之方法,该夹头包含一支撑面,该方法至少包含步骤:安装压电感应器于夹头上,以至少压电感应器之一部份由支撑面向外延伸;支持该半导体晶圆至夹头,以使得半导体晶圆啮合并压缩于半导体晶圆及夹头间之压电感应器,并使得压电感应器以压电方式产生电力;及检测该电力并由其上产生一信号,以表示至少半导体晶圆出现于该夹头上。18.一种用以检测是否一半导体晶圆对中于一半导体晶圆夹头之方法,该夹头包含一支撑面,该方法至少包含步骤:安装多数压电感应器于该夹头上,以压电感应器彼此等距分隔于支撑面之外圆周部旁,并安装压电感应器至夹头,使得至少压电感应器之一部份系由支撑面向外延伸;放置一半导体晶圆于压电感应器上,并夹持半导体晶圆至夹头上,以使得半导体晶圆压缩于半导体晶圆及夹头间之压电感应器,以使得于半导体晶圆及夹头间之电压感应器以压电方式产生电力;及检测该电力并决定是否该电力为所有或不是于该多数压电感应器之所有压电感应器所产生,并于决定电力系由所有于多数压电感应器中之所有压电感应器所产生时,产生一第一信号,以指示半导体晶圆系对中于该夹头上,以及,于其决定电力并不是由多数压电感应器中之所有压电感应器所产生时,产生一第二信号。19.一种用以决定一半导体晶圆被夹持向一半导体晶圆夹头之力量之方法,该夹头包含一支撑面,该方法至少包含步骤:安装至少一压电感应器于夹头上,以至少一部份之压电感应器由支撑面向外延伸;支持该半导体晶圆至夹头,以使得半导体晶圆压缩该压电感应器并使得该压电感应器以压电方式产生电力;及检测是否该电力已经到达一预定位准,并于电力到达至少预定位准时,产生一信号,以表示半导体晶圆夹持至夹头之力量。20.一种用以决定一半导体晶圆夹持向一半导体晶圆夹头之力量的方法,至少包含步骤:决定将由一压电感应器所产生之电力之量,该压电感应器系内插并被压缩于一半导体晶圆及一夹头之间,于半导体晶圆被以足够力量夹持向夹头时,以于后续半导体晶圆处理中,将半导体晶圆保持于夹头上,以建立一临界位准;内插一压电感应器于一半导体晶圆及一半导体晶圆夹头之间,并夹持半导体晶圆至夹头,以压缩并使得压电感应器产生操作电力;及检测所产生之操作电力并决定是否所产生之操作电力系至少等于该电力临界位准,若是的话,则提供一信号,以指示半导体晶圆系被以足够力量夹持至夹头,以于后续半导体晶圆处理中,将半导体晶圆维持于夹头上。21.一种夹头设备,至少包含:一支撑面,及一构成结构,于该支撑面上,该构成结构由支撑面向外延伸;该构成结构具有一压缩特性,当被压缩时,产生一可读取信号,以表示其压缩,及于其上收纳任何予以夹持之物件。22.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述之感应器为与支撑面一体成型。图式简单说明:第一图为一例示图,示出包含一半导体晶圆及相关压电及信号产生电路;第二图为沿第一图之线2-2以箭头方向所取之部份剖面图;第三图为本发明之另一实施例沿第一图之线2-2以箭头方向所取之部份剖面图;第四图为具有一晶圆间隔罩之支撑面之静电夹头之平面图;第五图为沿第四图之线5-5以箭头方向所取之部份剖面图;及第六图为本发明之另一实施例沿第四图之线5-5以箭头方向所取之部份剖面图。 |
