| 主权项 |
1.一种堆叠式电容器的制造方法,包括:提供一基底;形成一第一介电层覆盖该基底;形成一接触窗于该第一介电层;形成一掺杂之多晶矽层填入该接触窗;形成一绝缘层覆盖该第一介电层;形成一开口于该绝缘层,使暴露出该接触窗;形成一冠状非晶矽层覆盖该开口;形成复数个半球晶粒多晶矽于该冠状非晶矽层裸露的表面;形成一第一金属层,做为电容器的下电极,该第一金属层系由该半球晶粒多晶矽与该冠状非晶矽层,经过一选择性金属沉积所形成的;形成一第二介电层,覆盖该第一金属层;以及形成一第二金属层,覆盖该第二介电层,该第二金属层做为电容器的上电极。2.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该绝缘层包括一氮化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该冠状非晶矽层的形成方法包括:形成一非晶矽层覆盖该绝缘层与该开口;形成一光阻层覆盖该非晶矽层;去除覆盖该绝缘层表面之该光阻层与该非晶矽质;以及去除该开口中之该光阻层。4.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该冠状非晶矽层的厚度约略为300至1000埃。5.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该第一金属层形成的方法包括选择性钨沉积法。6.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该第一金属层形成前,还进行一前处理制程。7.如申请专利范围第6项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该前处理制程所使用之溶液譬如是氨水与过氧化氢之混和溶液。8.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该第二介电层所使用之材料包括五氧化二钽。9.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该第二金属层形成的方法包括使用含四氯化钛之前躯体,利用化学气相沉积法所形成。10.如申请专利范围第9项所述之堆叠式电容器的制造方法,其中该第二金属层所使用的材料包括氮化钛。11.一种堆叠式电容器的结构,包括:一基底;一第一介电层,覆盖于该基底表面;一接触窗,形成于该第一介电层中,并填有一掺杂之多晶矽层;一绝缘层,覆盖于该第一介电层的表面,具有一开口,该开口位于该接触窗之上方;一第一金属层,覆盖于该开口中,为表面具有复数个半球晶粒之结构;一第二介电层,覆盖于该第一金属层表面;以及一第二金属层,覆盖于该第二介电层的表面。12.如申请专利范围第11项所述之堆叠式电容器的结构,其中该绝缘层包括一氮化矽层。13.如申请专利范围第11项所述之堆叠式电容器的结构,其中该第一金属层形成的方法包括选择性钨沉积法。14.如申请专利范围第11项所述之堆叠式电容器的结构,其中该第二介电层所使用之材料包括五氧化二钽。15.如申请专利范围第11项所述之堆叠式电容器的结构,其中该第二金属层形成的方法包括使用含四氯化钛之前躯体,利用化学气相沉积法所形成。16.如申请专利范围第15项所述之堆叠式电容器的结构,其中该第二金属层所使用的材料包括氮化钛。图式简单说明:第一图A至第一图G系绘示依据本发明之一种具金属-绝缘-金属结构之堆叠式电容器的制造方法与结构之制造流程结构剖面示意图。 |
