| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体电容器的制造方法,适用于形成有复数个位元线与字元线之一基底上,且该基底具有一内复晶矽介电层使该些位元线与字元线互相隔离,该制造方法包括:在该内复晶矽介电层上依序形成一第一复晶矽层与一第一非晶矽层;以一光阻定义该非晶矽层与该第一复晶矽层,形成一电容区域,暴露出部分该第一复晶矽层侧壁与该内复晶矽介电层;在该第一复晶矽层上形成一具上宽下窄轮廓之开口,暴露出部分该内复晶矽介电层;以该第一复晶矽层与该光阻为罩幕,在该内复晶矽介电层形成一节点接触窗开口,暴露出该基底;去除该光阻;对该基底形成一第二非晶矽层,填入该节点接触窗口;以该内复晶矽介电层为蚀刻终点,回蚀刻该第二非晶矽层,在该第一复晶矽层侧壁形成一非晶矽间隙壁,暴露出该内复晶矽介电层,其中部分该非晶矽间隙壁填入该节点接触窗开口,与该基底电性耦接;对该基底形成一选择性半球颗粒复晶矽层,该第一复晶矽层、该非晶矽层、该非晶矽间隙壁与该选择性半球颗粒复晶矽层作为该电容之一下电极;以及在该选择性半球颗粒复晶矽层上形成一介电层与一第二复晶矽层,该第二复晶矽层作为该电容器之一上电极。2.一种动态随机存取记忆体电容器的制造方法,适用在具有一第一介电层之一基底上,该基底具有元件结构,该制造方法至少包括对该基底形成一第一导电层与一第一非晶矽层;定义该第一非晶矽层与该第一导电层,暴露出部分该第一介电层,形成一电容区域;在该电容区域之该第一导电层形成一具上宽下窄轮廓之开口,暴露出该第一介电层;以该开口定义该第一介电层,形成一节点接触窗开口,暴露出该基底;在该电容区域之该第一导电层上形成一第二非晶矽层,该第二非晶矽层填入该节点接触窗中,与该基底电性耦接,该第一导电导与该第二非晶矽层作为该电容器之一下电极;以及在该下电极上形成一第二介电层与一第二导电层,该第二导电层作为该电容器之一上电极。3.如申请专利范围第2项所述动态随机存取记忆体电容器的制造方法,其中在形成该下电极之后,形成该第二介电层之前,更包括在该第一与该第二非晶矽层上形成一选择性HSG-Si。4.如申请专利范围第2项所述动态随机存取记忆体电容器的制造方法,其中该第一与该第二导电层包括复晶矽层。5.如申请专利范围第2项所述动态随机存取记忆体电容器的制造方法,其中在该电容区域之该第一导电层上形成一第二非晶矽层更包括对该基底形成一第三非晶矽层;以及回蚀刻该第三复晶矽层,暴露出该第一介电层,形成一第二复晶矽层覆盖住该电容区域之该第一导电层。图式简单说明:第一图系显示一种动态随机存取记忆体之电路示意图;第二图系显示一种动态随机存取记忆体电容器之剖面示意图;以及第三图A至第三图G系根据本发明一较佳实施例动态随机存取记忆体之制造流程剖面图。 |
