| 主权项 |
1.一种用于形成半导体积体电路用熔丝的方法,该电路具有一主动装置,该方法包含下列步骤:形成熔丝及主动区于半导体基板中的各区域中;形成一绝缘层于熔丝及主动装置的接触区上;穿经所选择的绝缘层区域形成通孔,以曝露出下面部份的熔丝及下面部份的主动装置之接触区;沈积一导电材料于绝缘层上,并穿经所曝露之熔丝与接触区部份上的通孔;沈积在熔丝上之导电材料部份选择性地移除,而留下沈积在主动装置接触区上的导电材料。2.如申请专利范围第1项之方法,所包含的步骤有:形成一第二绝缘层于导电材料上;第二通孔系穿经第二绝缘层形成,而曝露出下面部份的沈积在主动装置之接触区上的部份导电材料;组成一相异于导电材料的金属化层于第二绝缘层上,部份该金属化层沈积于第二通孔中,并达位于沈积在所曝露下面部份的主动装置之接触区上的导电材料。3.如申请专利范围第2项之方法,所包含的步骤有第三通孔系穿经位于熔丝上及部份金属化层上的第二绝缘质。4.如申请专利范围第3项之方法,所包含的步骤有:一蚀刻系与第二绝缘质接触,并穿经第二及第三通孔而与沈积在熔丝上的导电材料的曝露部份接触,并与金属化层的曝露部份接触。该蚀刻将选择性地移除沈积在熔丝上之导电材料的曝露部份,并留下为第二介通孔所曝露之完全未蚀刻的金属化层部份。5.如申请专利范围第4项之方法,所包含的步骤有沈填一填充材料于熔丝上之第二通孔的上半部中,而该填充材料的底部系与熔丝隔离。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该导电材料为钨。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该金属化层为铝。8.一种用于形成半导体积体电路用熔丝的方法,该电路具有一主动装置,该方法包含下列步骤:形成熔丝及主动区于半导体基板中的各区域中,该主动装置具有导电闸极电极;形成一绝缘层于熔丝及闸极电极上;穿经所选择的绝缘层区域形成通孔,以曝露出下面的部份熔丝及下面的部份主动装置之源极/汲极接触区;具有导电材料的一第一金属化层置于绝缘层上,并穿经通孔,该导电材料具有沈积在所曝露之部分熔丝上的第一部份以及沈积在所曝露之部分源极/汲极接触区上的第二部份,该第一与第二部份系以部份的绝缘层电气隔离;选择性地移除部份的第一部份导电材料,并同时留下第二部份的导电材料。9.如申请专利范围第8项之方法,其包含的步骤为:形成一第二绝缘层于导电材料上;第二通孔系穿经第二绝缘层而被形成,该第二通孔曝露出下面部份的第二部份导电材料;形成一第二层金属化层于第二绝缘层上,该第二层的金属化层系异于导电材料,部份该第二层金属化层沈积于第二通孔中,并达位于导电材料的所曝露的下面第二部份上。10.如申请专利范围第9项之方法,其中形成第二通孔的步骤包含形成一通孔于第一部份导电材料上,以曝露出下面的部份第一部份的第二导电材料的步骤。11.如申请专利范围第10项之方法,其包含的步骤有将第二绝缘层沈积在所曝露之第一部份的导电材料及所曝置之部分的第二金属化层,该蚀刻将选择性地移除导电材料的曝露第一部份,并留下完全未蚀刻的曝露第二金属化层。12.如申请专利范围第11项之方法,其包含的步骤有沈积填充材料于熔丝上,且该填充材料的底部与熔丝隔离。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该导电材料为钨。14.一种用于形成半导体积体电路用熔丝的方法,该电路具有一主动装置,该方法包含下列步骤:形成熔丝及主动区于半导体基板中的各区域中,该熔丝与该主动装置具有导电闸极电极;形成一绝缘层于熔丝及闸极电极上;穿经所选择的绝缘层区域形成第一通孔,该通孔曝置出部份熔丝及部份的主动装置之源极/汲极接触区;具有第一导电材料的一第一金属化层被形成于第一绝缘层上,并穿经第一通孔,该第一导电材料具有沈积在所曝露之部分熔丝上的第一部份以及沈积在所曝露之部分源极/汲极接触区上的第二部份,该第一与第二部份系以部份的第一绝缘层电隔离;形成一第二绝缘层于第一绝缘层上以及第一导电材料上;穿经第二绝缘层而形成一第二通孔,该第二通孔曝露出部份的第二部份的第二导电材料;形成一第二金属化层于第二绝缘层上,该第二金属化层系为相异于第一导电层的导电材料,该第二导电材料具有部份穿经第二通孔,并达所曝露之部份的第二部份的第一导电材料;形成一第三绝缘层于第二绝缘层上;形成一第三通孔于部份的第三绝缘层中,以曝露出部份的第一部份的第一导电材料以及部份的第二金属化层;将第三绝缘层曝露于蚀刻,该蚀刻将选择性地移除部份之为第三通孔所曝露的第一导电材料,并留下完全未蚀刻的第二金属化层;以及沈积一填充材料于第三绝缘层上,该材料系沈积在第三通孔的上半部,该填充材料具有与熔丝隔离的底部。15.一种半导体积体电路,包含:熔丝与主动装置置于半导体基板各区域中的半导体基板,主动装置具有导电闸极电极;沈积一绝缘层于熔丝上及闸极电极上;该绝缘层具有穿经所选择之绝缘层区域的通孔,以曝露出下面的熔丝及下面的主动装置的源极/汲极接触区;具有导电材料的一第一金属化层置于绝缘层上,并穿经通孔,该导电材料的部份系置于源极/汲极接触区的曝露部份上;一第二绝缘层系置于导电材料上,该第二绝缘材料具有穿经第二绝缘层的第二通孔,该第二通孔之一系置于第一通孔之一上方,以曝露出下面的熔丝部份,而另一个该第二通孔将曝露出底下第二部份的导电材料;一填充材料系置于位在熔丝上的第二通孔之一内,让填充材料的底部系与熔丝隔离。16.如申请专利范围第15项之积体电路,其中该填充材料包含一导电材料。图式简单说明:第一图A-第一图G系为具有主动装置及熔丝之半导体积体电路在各制造阶段的示意剖面图。 |
