| 主权项 |
1.一种真空处理装置,包含有:处理室,系以给定之真空状态对于对象物施加给定之处理;载置台,系设置在处理室内,以用来载置对象物;莲蓬头,系设置成与载置台对向,以便将处理气体供给处理室内;排气通路,系设在一用来形成处理室之外壳,并在载置台之外侧延伸,以便包围载置台;排气口,系形成在载置台之周围,并连接排气通路及处理室;多孔构件,系设排气口以便分区为排气通路及处理室,并具有使排气通路与处理室连通之多数通气孔;分流机构,系将自处理室通过多孔构件之通气孔流的气体向多数之方向分流后,向排气通路流送;多数个上部排气管,系在处理室之上侧延伸,以与排气通路连通;及一支下部排气管,系朝处理室之下侧延伸,以与上部排气管之全部连接。2.如申请专利范围第1项之真空处理装置,其特征为:包含有排气孔,其系形成在前述外壳,以用来连接排气通路及上部排气管。3.如申请专利范围第2项之真空处理装置,其特征为:前述排气孔系设在对于载置台对称之两个地方。4.如申请专利范围第1项之真空处理装置,其特征为:前述分流机构系将自处理室通过多孔构件流的气体,向四方向分流。5.如申请专利范围第4项之真空处理装置,其特征为:前述分麽机构系由两个配置在与上部排气管连通的排气通路之连通部分且沿着多孔构件之曲率延伸之阻板所构成,各阻板则在其两端部形成排气部。6.如申请专利范围第1项之真空处理装置,其特征为:前述上部排气管为二支。7.如申请专利范围第1项之真空处理装置,其特征为:前述下部排气管,系在用以避开一设在处理室之下部且用来加热载置台上之对象物的加热装置之位置,向下侧延伸。8.如申请专利范围第1项之真空处理装置,其特征为:前述莲蓬头,包含有一本体;及一可对于本体升降且具有多数个处理气体喷出用之孔的多孔盘。9.如申请专利范围第8项之真空处理装置,其特征为:包含有一升降机构,其系使多孔盘对于本体升降,藉此使多孔盘与载置台间之距离变化。10.如申请专利范围第9项之真空处理装置,其特征为:前述升降机构,包含有多数个轴,其系延伸成贯穿莲蓬头之本体,以支持多孔盘;及驱动机构,其系用来升降多数个轴。11.如申请专利范围第10项之真空处理装置,其特征为:在轴与莲蓬头本头之间,设有间隙。12.如申请专利范围第11项之真空处理装置,其特征为:包含有一密封机构,其系设在轴与莲蓬头本体之间,俾处理室对于外部密封。13.如申请专利范围第10项之真空处理装置,其特征为:前述多孔盘,系对于轴装卸自如。14.一种真空处理装置,包含有:处理室,系以给定之真空状态对于对象物施加给定之处理;载置台,系设置在处理室内,以用来载置对象物;莲蓬头,系设置成与载置台对向,以便将处理气体供给处理室内,且包含有:一本体;及一可对于本体升降且具有多数处理气体喷出用之孔的多孔盘;及升降机构,系使多孔盘对于本体升降,藉此使多孔盘与载置台间之距离变化。15.如申请专利范围第14项之真空处理装置,其特征为:前述升降机构,包成有多数个轴,其系延伸成贯穿莲蓬头之本体,以支持多孔盘;及驱动机构,其系用来升降此等多数个轴。16.如申请专利范围第15项之真空处理装置,其特征为:在轴与莲蓬头本体之间,设有间隙。17.如申请专利范围第16项之真空处理装置,其特征为:包含一密封机构,其系设在轴与莲蓬头本体之间,俾将处理室对于外部密封。18.如申请专利范围第15项之真空处理装置,其特征为:前述多孔盘系对于轴装卸自如。19.如申请专利范围第14项之真空处理装置,其更包含:排气通路,系设在一用来形成处理室之外壳,并在载置台之外侧延伸,以便包围载置台;排气口,系形成在载置台之周围,并连接排气通路及处理室;多孔构件,系设在排气口以便分区为排气通路及处理室,并具有使排气通路与处理室连通之多数通气孔分流机构,系将自处理室通过多孔构件之通气孔流的气体,向多数之方向分流后,向排气通路流送;多数个上部排气管,系在处理室之上侧延伸,以与排气通路连接;及一支下部排气管,系朝处理室之下侧延伸,以与上部排气管全部连接。20.如申请专利范围第19项之真空处理装置,其特征为:包含有排气孔,其系形成在前述外壳,以用来连接排气通路及上部排气管。21.如申请专利范围第20项之真空处理装置,其特征为:前述排气孔,系设在对于载置台对称之两个地方。22.如申请专利范围第19项之真空处理装置,其特征为:前述分流机构系将自处理室通过多孔构件流的气体,向四方向分流。23.如申请专利范围第22项之真空处理装置,其特征为:前述分流机构系由两个配置在与上述排气管连通的排气通路之连通部分且沿着多孔构件之曲率延伸之阻板所构成,各阻板则在其两端部形成排气部。24.如申请专利范围第19项之真空处理装置,其特征为:前述上部排气管为二支。25.如申请专利范围第19项之真空处理装置,其特征为:前述下部排气系设在处理室下部且在避开用来加热载置台上之对象物的加热装置之位置向下侧延伸。图式简单说明:第一图A系关于本发明一实施例之真空处理装置之正视图。第一图B系第一图A之真空处理装置侧视图。第二图系第一图A之真空处理装置的处理室之纵断面图。第三图系第二图之3–3断面图。第四图系第二图之4–4断面图。第五图系显示通过第一图A之真空处理装置排气通过的气体流动之模式图。第六图系显示第一图A之真空处理装置的莲蓬头及其升降机构之构成(多孔盘上升时)。第七图系显示第一图A之真空处理装置的莲蓬头及升降机构之构成(多孔盘降下时)。第八图系莲蓬头之平面图。第九图系将莲蓬头之升降机构的一部分放大表示之断面图。第十图系将莲蓬头之升降机构的一部分放大表示之断面图。第十一图系概略地显示习知真空处理装置之图。 |
