| 主权项 |
1.一种镶嵌式局部内连线之制造方法,适用于一半导体基底,其上形成有绝缘氧化物隔离出第一主动区与第二主动区,该制造方法包括下列步骤:(a)于该基底上形成第一介电层;(b)于第一介电层的上半部形成一内连导线,其横跨第一主动区与第二主动区;(c)于该基底上形成第二介电层;(d)于第二介电层与第一介电层中蚀刻出第一接触窗与第二接触窗,其分别露出第一主动区、第二主动区、以及该内连导线之两端;以及(e)于第一接触窗与第二接触窗中填入第一栓塞与第二栓塞,并藉此与该内连导线作电性连接,而完成第一主动区与第二主动区之局部内连线。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤(b)包括:在该第一介电层的上半部形成一导线沟槽;以及在该导线沟槽中填入一导电材料。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中步骤(b)更包括:在该导线沟槽中沈积一黏着层。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该内连导线的材质系择自下列所组成之族群:钨、铝、铜、铝矽铜合金、以及铝铜合金。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该内连导线的材质为钨。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤(e)更包括:在该第一接触窗与第二接触窗中沈积一黏着层。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一栓塞与第二栓塞的材质系择自下列所组成之族群:钨、铝、铜、铝矽铜合金、以及铝铜合金。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一栓塞与第二栓塞的材质为钨。图式简单说明:第一图为一系列剖面图,用以说明习知镶嵌式局部内连线之结构。第二图-第六图为一系列剖面图,用以说明本发明一较佳实施例制作的镶嵌式局部内连线的流程。 |
