| 主权项 |
1.一种光罩组结构,适用于一光阻层之微影制程中,以于该光阻层中形成一预定曝光图案,该光罩组结构包含各具不同图案之复数个光罩,且在分别以每一该些光罩对该光阻层进行一次曝光之后,即可得到该预定曝光图案。2.如申请专利范围第1项所述之光罩组结构,其中每一该些光罩本身的图形间距/宽度大致相同,而该预定曝光图案之图形间距/宽度不同。3.如申请专利该围第1项所述之光罩组结构,其中每一该些光罩本身的图形间距/宽度大于该预定曝光图案的图形间距/宽度。4.如申请专利该围第1项所述之光罩组结构,其中该光罩组结构包括由不同形态的复数个光罩任意组合形成。5.如申请专利范围第4项所述之光罩组结构,该些光罩包括复数个相移式光罩。6.如申请专利范围第5项所述之光罩组结构,该些相移式光罩之型式包括环相移式光罩。7.如申请专利范围第5项所述之光罩组结构,该些相移式光罩之型式包括衰减相移式光罩。8.如申请专利范围第4项所述之光罩组结构,该些光罩包括复数个光学近接修正光罩。9.如申请专利范围第8项所述之光罩组结构,该些光学近接修正式光罩中的光学近接修正图形之样式包括辅助线图形。10.如申请专利范围第8项所述之光罩组结构,该些光学近接修正式光罩中的光学近接修正图形之样式包括角块图形。11.如申请专利范围第4项所述之光罩组结构,该些光罩之图案特征包括线状图形。12.如申请专利范围第4项所述之光罩组结构,该些光罩之图案特征包括接触窗型式之图形。13.一种光罩组结构,适用于一光阻层之微影制程中,以于该光阻层中形成图形间距/宽度不同之一预定曝光图案,该光罩组结构包含各具不同图案之复数个光罩,其中每一该些光罩本身之图案的图形间距/宽度大致相同,且在分别以每一该些光罩对该光阻层进行一次曝光之后,即可得到该预定曝光图案。14.如申请专利范围第13项所述之光罩组结构,其中该光罩组结构包括由不同形态的复数个光罩任意组合形成。15.如申请专利范围第14项所述之光罩组结构,该些光罩包括复数个相移式光罩。16.如申请专利范围第14项所述之光罩组结构,该些光罩包括复数个光学近接修正光罩。17.如申请专利范围第14项所述之光罩组结构,该些光罩之图案特征包括线状图形。18.如申请专利范围第14项所述之光罩组结构,该些光罩之图案特征包括接触窗型式之图形。19.一种使用如申请专利范围第1.2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.14.15.16.17或18项所述之光罩组结构的微影制程,其中系分别以每一该些光罩对该光阻层进行一次曝光,以得到该预定曝光图案。图式简单说明:第一图A-第一图C所绘示为本发明之较佳实施例中,连续使用两个本身图形间距/宽度较大且相同的光罩对光阻层曝光后,得到图形间距/宽度较小且不一致之图案的情形,其中第一图A所绘示为两个光罩的剖面图。第二图A-第二图B所绘示为本发明之较佳实施例中,两个图形间距/宽度相同之光学近接修正光罩以辅助线(Assistant Bar)作为图案修正的情形。第二图A与第二图B之上方为剖面图,下方为正视图。另外,第二图C为角块(Serifs)光学近接修正之示意图。第三图A所绘示为本发明之较佳实施例中,衰减相移式光罩之剖面图(上)与正视图(下)。第三图B为环相移式光罩之剖面图(上)与正视图(下)。第三图A与第三图B中仅以两个光罩所组成之光罩组中的一个光罩为例。 |
