| 主权项 |
1.一种测量形成于半导体底材上之元件电性方法,该元件具有一导电结构形成于该底材上,一绝缘结构形成于该导电结构之上,该方法至少包含下列步骤:以一聚焦离子束撞击该绝缘结构,以去除部份该绝缘结构,形成一连接洞;以该聚焦离子束扫描绝缘结构,并撞击一金属化合物气体,以形成一第一金属层,填入该连接洞;以该聚焦离子束扫描该绝缘结构,并撞击该金属化合物气体,以形成具一内凹曲线图案之一金属探针垫层于该连接洞和该绝缘结构上;及一点针抵住具该内凹曲线图案之该金属探针垫层,以量测该导电结构之电性。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之聚焦离子束为锗离子化之聚焦离子束。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之金属化合物气体为WF4或PtF6。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述形成该连接洞步骤,系以该聚焦离子束撞击该绝缘结构,以挖该连接洞到该导电结构,其能量约30KeV,时间约为2到10分钟。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述形成该第一金属层步骤,系以该聚焦离子束扫描该绝缘结构,并同时撞击该金属化合物气体,其能量约30KeV之间,时间约为5到10分钟,打断该金属化合物气体之链结,分离出该金属化合物气体之金属原子,以形成该第一金属层,用以填入该连接洞。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述形成具该内凹曲线图案之该金属探针垫层步骤,系利用该聚焦离子束以该内凹曲线图案扫描该绝缘结构,并同时撞击该金属化合物气体,其能量约30KeV之间,时间约为5到10分钟,打断该金属化合物气体之链结,分离出该金属化合物气体之金属原子,以沈积于该连接洞和该绝缘结构上,形成具该内凹曲线图案之该金属探针垫层,方便该点针抵住,不致滑动。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之金属探针垫层之图案为L字形。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之金属探针垫层之图案为十字形。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之金属探针垫层之图案为圆圈形。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之金属探针垫层之图案为部份圆圈形。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之金属探针垫层之图案为V字形。12.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之金属探针垫层之图案为ㄇ字形。13.一种测量形成于半导体底材上之元件电性方法,该元件具有一导电结构形成于该底材上,一绝缘结构形成于该导电结构之上,该方法至少包含下列步骤:以一聚焦离子束扫描该绝缘结构,并撞击一蚀刻气体,以蚀刻部份该绝缘结构,曝露出部份该导电结构;及一点针抵住该导电结构,以量测该导电结构之电性。14.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之聚焦离子束为锗离子化之聚焦离子束。15.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之蚀刻气体为SF6。16.如申请专利范围第13项之方法,其中上述蚀刻部份该绝缘结构,曝露出部份该导电结构步骤,系以该聚焦离子束扫描位于该导电结构上之半面区域的该绝缘结构,并同时撞击该蚀刻气体,其能量约30KeV之间,时间约为1到10分钟,使该蚀刻气体离子化后之原子和位于该导电结构上之半面区域之该绝缘结构内的矽原子反应,生成具挥发性的化合物,藉以蚀刻去除该导电结构上之半面区域之该绝缘结构,并曝露出部份该导电结构,以方便该点针朝该导电结构上之半面区域方向,抵住该导电结构以量测电性。17.如申请专利范围第13项之方法,其中上述蚀刻部份该绝缘结构,曝露出部份该导电结构步骤,系以该聚焦离子束扫描位于该导电结构上之全面区域的该绝缘结构,并同时撞击该蚀刻气体,其能量约30KeV之间,时间约为1到10分钟,使该蚀刻气体离子化后之原子和位于该导电结构上之全面区域之该绝缘结构内的矽原子反应,生成具挥发性的化合物,藉以蚀刻去除该导电结构上之全面区域之该绝缘结构,并曝露出部份该导电结构,以方便该点针朝该导电结构上之全面区域方向,抵住该导电结构以量测电性。图式简单说明:第一图为依据传统方法,形成四方形金属探针垫层以测量金属导电层电性之三维透视结构图。第二图为依据本发明之第一较佳实施例方法,形成十字形金属探针垫层之三维透视结构图。第三图A为依据本发明之第一较佳实施例方法,形成十字形金属探针垫层图案之示意图。第三图B为依据本发明之第一较佳实施例方法,形成L字形金属探针垫层图案之示意图。第三图C为依据本发明之第一较佳实施例方法,形成圆圈形金属探针垫层图案之示意图。第三图D为依据本发明之第一较佳实施例方法,形成部份圆圈形金属探针垫层图案之示意图。第三图E为依据本发明之第一较佳实施例方法,形成V字形金属探针垫层图案之示意图。第三图F为依据本发明之第一较佳实施例方法,形成ㄇ字形金属探针垫层图案之示意图。第四图为依据本发明之第二较佳实施例方法,形成半开介电层以测量金属导电层电性之三维透视结构图。第五图为依据本发明之第三较佳实施例方法,形成全开介电层以测量金属导电层电性之三维透视结构图。 |
