| 主权项 |
1.一种制造半导体晶片封装构造之方法,其包含下列步骤:提供一可挠性承载板具有一上表面以及一下表面,可挠性承载板上表面具有一晶片设置区域;在可挠性承载板形成复数个贯穿孔于该晶片设置区域之周边;层压(laminating)一金属层于可挠性承载板之下表面;蚀刻该金属层而形成复数个连接垫,该每一连接垫之正面系有部分裸露于相对应之贯穿孔;形成一金属覆盖层于该复数个连接垫没有可挠性承载板覆盖之表面;固定一半导体晶片于可挠性承载板上表面之晶片设置区域,该半导体晶片具有复数个晶片焊垫;电性连接该半导体晶片之复数个晶片焊垫至该复数个连接垫之正面;形成一封胶体覆盖在可挠性承载板之上表面以及半导体晶片之上。2.依申请专利范围第1项之制造半导体晶片封装构造之方法,其另包含印上锡膏于该复数个连接垫之背面。3.依申请专利范围第1项之制造半导体晶片封装构造之方法,其中该金属层系为一铜箔。4.依申请专利范围第1项之制造半导体晶片封装构造之方法,其中该金属覆盖层系包含一导镍(Ni)覆盖于该晶片承座以及复数个连接垫没有可挠性承载板覆盖之表面,以及一层金(Au)覆盖于该镍层之表面。5.依申请专利范围第1项之制造半导体晶片封装构造之方法,其中可挠性承载板系为一树脂薄片(resin film)。6.申请专利范围第1项之制造半导体晶片封装构造之方法,其中可挠性承载板系以聚醯亚胺(polyimide)制成。图式简单说明:第一图:根据中国台湾公告第348306号专利「具树脂封装体之元件及其制造方法」一较佳实施例之半导体晶片封装构造之剖面图;第二图:第一图之半导体晶片封装构造之制造方法中分隔步骤之剖面图;第三图至第八图:其揭示一种制造根据本发明之半导体晶片封装构造之方法;及第九图:根据本发明一较佳实施例之半导体晶片封装构造之剖面图。 |
