浅沟渠隔离区之制造方法

摘要

一种浅沟渠隔离区之制造方法，此方法系依照典型的方法在基底中形成沟渠之后，在形成衬氧化层之前，先以湿式蚀刻法去除部份的罩幕层与垫氧化层，以裸露出沟渠顶端的边角处与紧邻于沟渠的部份基底表面，然后，再形成衬氧化层与氧化层。此方法可以使后续制程中，在去除多余的氧化矽层之后，紧邻于沟渠的基底表面上仍有衬氧化层与氧化层覆盖，以避免在去除垫氧化层的蚀刻制程中，由于氧化层与垫氧化层或衬氧化层蚀刻率的差异以及过度蚀刻，而造成氧化层与基底表面之邻接处发生凹陷的情况。

主权项

1.一种浅沟渠隔离区之制造方法,包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一垫氧化层;在该垫氧化层上形成一罩幕层;定义该罩幕层与该垫氧化层,形成一开口,并在该基底中形成一沟渠,该沟渠裸露出该基底的一第一表面;去除部份该罩幕层与该垫氧化层,使该开口的面积更广,裸露出该沟渠的一顶端边角以及该基底的一第二表面,其中该顶端边角呈圆弧状;在该第一表面、该顶端边角与该第二表面形成一衬氧化层;在该基底上形成一绝缘层;去除部份该绝缘层,裸露出该罩幕层;去除该罩幕层;以及去除该垫氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中形成该垫氧化层的方法包括热氧化法。3.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中该罩幕层之材质包括氮化矽。4.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中去除部份该罩幕层的方法包括湿式蚀刻法。5.如申请专利范围第3项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中去除部份该罩幕层的方法包括使用磷酸溶液。6.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中去除部份该垫氧化层的方法包括湿式蚀刻法。7.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中去除部份该垫氧化层的方法包括使用氢氟酸溶液。8.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中该绝缘层之材质包括氧化矽。9.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中形成该绝缘层的方法包括常压化学气相沈积法。10.如申请专利范围第9项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中形成该绝缘层的方法系以四乙氧基矽烷为气体源。11.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中去除部份该绝缘层的方法包括化学机械研磨法。12.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中去除该罩幕层与该垫氧化层的方法包括湿式蚀刻法。13.一种浅沟渠隔离区之制造方法,包括下列步骤:提供一矽基底;在该矽基底上形成一垫氧化层;在该垫氧化层上形成一罩幕层;定义该罩幕层与该垫氧化层,形成一开口,并在该矽基底中形成一沟渠,该沟渠裸露出该矽基底的一第一表面;以湿式蚀刻法,去除部份该罩幕层与该垫氧化层,使该开口的面积更广,裸露出该沟渠的一顶端边角以及该矽基底的一第二表面,其中该顶端边角呈圆弧状;在该第一表面、该顶端边角与该第二表面形成一衬氧化层;在该矽基底上形成一绝缘层;去除部份该绝缘层,裸露出该罩幕层;去除该罩幕层;以及去除该垫氧化层。14.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中形成该垫氧化层的方法包括热氧化法。15.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中该罩幕层之材质包括氮化矽。16.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中去除部份该罩幕层的方法包括使用磷酸溶液。17.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中去除部份该垫氧化层的方法包括使用氢氟酸溶液。18.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中该绝缘层之材质包括氧化矽。19.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中形成该绝缘层的方法包括常压化学气相沈积法。20.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中去除部份该绝缘层的方法包括化学机械研磨法。图式简单说明:第一图A至第一图E是习知一种浅沟渠隔离区制造流程的剖面图;以及第二图A至第二图F是依照本发明一较佳实施例之浅沟渠隔离区制造流程的剖面图。