发明名称 晶圆表面之线上检测技术
摘要 一种晶圆表面之线上检测技术。当晶圆进行过钨的沉积步骤之后,紧接着以背向散射扫描式电子显微镜对晶圆的表面进行线上检测,显示出晶圆表面上的缺陷或是附着的微粒。
申请公布号 TW432567 申请公布日期 2001.05.01
申请号 TW088103658 申请日期 1999.03.10
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 林浩洲;林国钦
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种检测晶圆表面的方法,于一晶圆进行一钨沉积步骤之后,对该晶圆之表面进行一线上检测,该方法包括:将该晶圆固定于一夹盘;提供一电子束撞击该晶圆之表面,产生复数个背向散射电子;以及以一侦测器收集该些背向散射电子,并产生一影像讯号传送至一显示器。2.如申请专利范围第1项所述之检测晶圆表面的方法,其中该电子束包括由一电子枪所产生。3.如申请专利范围第2项所述之检测晶圆表面的方法,其中该电子枪包括电场放射式电子枪。4.如申请专利范围第1项所述之检测晶圆表面的方法,其中该些背向散射电子系由该电子束所提供之复数个电子在该晶圆之表面发生背向散射现象而远离该晶圆之复数个电子。5.如申请专利范围第1项所述之检测晶圆表面的方法,其中该电子束包括由一聚焦元件聚焦于该晶圆之表面。6.如申请专利范围第1项所述之检测晶圆表面的方法,其中该电子束撞击该晶圆表面的位置系由一控制元件所控制。7.如申请专利范围第1项所述之检侧晶圆表面的方法,其中该晶圆表面更包括于进行该钨沉积步骤之前即附着于该晶圆之复数个微粒以及于进行该钨沉积步骤之后附着于该晶圆之复数个微粒。8.如申请专利范围第7项所述之检测晶圆表面的方法,其中该些于进行该钨沉积步骤之前即附着于该晶圆表面之微粒在该显示器中显示出一影像讯号。9.如申请专利范围第7项所述之检测晶圆表面的方法,其中该些于进行该钨沉积步骤之后附着于该晶圆表面之微粒在该显示器中显示出具有一白色影像之一影像讯号。10.一种晶圆表面的线上检测技术,用以检测晶圆表面的微粒,该检测技术包括:提供一晶圆;进行一金属沉积步骤;以及以一背同散射扫描式电子显微镜扫描该晶圆之表面。11.如申请专利范围第10项所述之晶圆表面的线上检测技术,其中该金属沉积步骤包括钨沉积。12.如申请专利范围第10项所述之晶圆表面的线上检测技术,其中该技术包括对进行该金属沉积步骤前就附着于该晶圆支付数个微粒与于该金属沉积步骤之后附着于该晶圆之复数个微粒产生不同之影像讯号。13.如申请专利范围第10项所述之晶圆表面的线上检测技术,其中该背向散射扫描式电子显微镜包括一侦测器,该侦测器可接收背向散射所产生之复数个电子,并且转换成一影像讯号。图式简单说明:第一图绘示依照本发明之一较佳实施例之一种扫描式电子显微镜的结构示意图;以及第二图绘示依照本发明之一较佳实施例,利用背向散射扫描式电子显微镜检测晶圆表面之微粒所得之影像示意图。
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