| 主权项 |
1.一种以化学蒸气沉积于半导体基材表面上沉积金属薄膜之方法,包括下列步骤:(a)将基材暴露于电浆中;(b)沉积第一层金属薄膜于基材之至少一个表面上;(c)将已于其上沉积薄膜之基材暴露于电浆中;及(d)沉积第二层金属薄膜于基材表面之第一层金属薄膜之上。2.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括重复步骤(c)与(d)以达到所要之膜厚。3.如申请专利范围第1项之方法,其中暴露步骤(a)与(c)包括将基材暴露至氢/氩电浆,而沉积步骤(b)与(d)包括沉积铜薄膜。4.如申请专利范围第3项之方法,进一步包重复步骤(c)与(d)以达到所要之膜厚。5.如申请专利范围第3项之方法,沉积步骤系发生于压力范围为0.1-10托,且较佳范围为0.5至2.0托下之反应室内。6.如申请专利范围第3项之方法,沉积步骤系发生于先驱物流量范围为0.01毫升/分钟至5毫升/公分,且较佳为0.2毫升/分钟至1.0毫升/分钟之反应室内。7.如申请专利范围第3项之方法,沉积步骤系发生于氢气流量范围为10-1500sccm,且较佳为100sccm之反应室内。8.如申请专利范围第3项之方法,沉积步骤系发生于承载器温度范围为120-280℃,且较佳为170℃之反应室内。9.如申请专利范围第3项之方法,暴露步骤系发生于压力为0.1-25托,较佳为1托下之反应室内。10.如申请专利范围第3项之方法,暴露步骤系发生于功率范围为50-1500W,且较佳为750W之反应室内。11.如申请专利范围第3项之方法,曝露步骤系发生于频率范围为250-500KHz,且较佳为450KHz之反应室内。12.如申请专利范围第3项之方法,暴露步骤系发生于氢气流量范围为50-5000sccm,且较佳为200sccm之反应室内。13.如申请专利范围第3项之方法,暴露步骤系发生于氩气流量范围为10-1500sccm,且较佳为50sccm之反应室内。14.如申请专利范围第3项之方法,暴露步骤系发生于承载器温度范围为120-280℃,且较佳为170℃之反应室内。15.如申请专利范围第3项之方法,暴露步骤系发生于时间范围为2-240秒,且较佳为10秒之反应室内。16.一种半导体基材上制造CVD-铜薄膜之方法,包括下列步骤:(a)将以承载器支持之基材暴露于氢/氩电浆;(b)沉积第一层铜薄膜于基材之至少一个表面上;(c)将已于其上沉积薄膜之基材暴露于电浆;及(d)沉积厚度为300埃之第二层铜薄膜于基材表面的第一层金属薄膜之上。17.如申请专利范围第16项之方法,进一步包括重复步骤(c)与(d)以达到所要之膜厚。图式简单说明:第一图为承载器与基材之图解。第二图为铜CVD用反应室之剖面图。 |
