高电阻及高导热性之再结晶SiC烧结体及其制造方法

摘要

本发明提供一种再结晶SiC烧结体，其可增大再结晶 SiC陶瓷之电阻率，付与电绝缘体的性质，大幅提升导热率，可维持再结晶SiC之强度和耐蚀性等优点，并且亦提供一种该再结晶SiC烧结体之制造方法。本发明之再结晶SiC烧结体，其实质上由0.01~2wt%之 SiO2和99.99~98wt%之SiC所构成的，其电阻率控制在500~50000Ωcm。其制造方法为将SiC成形体一边每分钟以炉之有效体积(加热区域)之0.01~10倍之惰性气体流过,一边在0.01~2atm之压力下，在2 Hr以上时间内昇温至2000℃，之后，在0.5~2atm之压力下，昇温至2000~2500℃。

主权项

1.一种再结晶SiC烧结体,其实质上由0.01-2wt%之SiO2和 99.99-98wt%之SiC所构成的,其电阻率控制在500-50000 cm。2.如申请专利范围第1项所述之再结晶SiC烧 结体,其导热率为100-200W/mK。3.一种再结晶SiC烧 结体之制造方法,其包括制作出以SiC为主成分之成 形体母原料所制得之成形体;以及烧结该成形体以 制作出再结晶SiC烧结体, 其中烧结步骤为一边每分钟以炉之有效体积(加热 区域)之0.01-10倍之惰性气体流过,一边在0.01-2atm之 压力下,在2Hr以上时间内昇温至2000℃,之后,在0.5-2 atm之压力下,昇温至2000-2500℃。4.如申请专利范围 第3项所述之再结晶SiC烧结体之制造方法,其中SiC 之纯度保持在98.0%以上。5.如申请专利范围第3项 或第4项所述之再结晶SiC烧结体之制造方法,其中 该烧结体之SiC纯度比成形体母原料之纯度更高。