| 主权项 |
1.一种半导体装置的输入缓冲器,用以接收一为TTL位准的输入信号,以产生一被转换为CMOS位准的内部信号,其包含:一用以反相和缓冲该输入信号的TTL反相缓冲器;一用以反相和缓冲该TTL反相缓冲器的第一反相驱动器;和一因响应该输入信号和第一反相驱动器的输出信号,以供应电流至TTL反相缓冲器的一输出端之电流供应器。2.如申请专利范围第1项之输入缓冲器,尚包含一用以反相和缓冲第一反相驱动器的信号,以产生该内部信号的第二反相驱动器。3.如申请专利范围第1项之输入缓冲器,其中该TTL反相缓冲器包含一PMOS电晶体,其具有一电源供应电压施于其上的源极、一输入信号输于其上的闸极以及和该TTL反相缓冲器之输出端连接的泄极;一第一NMOS电晶体,具有一与该TTL反相缓冲器的输出端连接的泄极和输入信号施于其上的闸极;和一第二NMOS电晶体其具有一与该第一NMOS电晶体的源极连接的泄极、输入信号施于其上之闸极以及一接地电压施于其上的源极。4.如申请专利范围第1项之输入缓冲器,其中该电流供应器包括一第一PMOS电晶体,其具有电源供虑电压施于其上的源极和该第一反相驱动器之输出信号施于其上的闸极,和一第二PMOS电晶体具有一与该第一PMOS电晶体之泄极连接的源极、输入信号施于其上之闸极以及一与该TTL反相缓冲器之输出端连接的泄极。5.一种用于一半导体装置之输入缓冲器,包含:一用以接收施于一垫的输入信号以及反相和缓冲该收到之输入信号的反相缓冲器;和一用以反相该反相缓冲器之输出信号的第一反相器;其中由输入信号控制的第一电流路径以及由第一反相器之输出信号与输入信号控制的第二电流路径系存在于该电源供应电压和反相缓冲器之输出端之间。6.如申请专利范围第5项之输入缓冲器,尚包含一用以反相和缓冲第一反相器之输出信号,以产生一内部信号的第二反相器。7.如申请专利范围第5项之输入缓冲器,其中该反相缓冲器包括一第一PMOS电晶体,其具有一电源供应电压施于其上的源极、输入信号施于其上之闸极以及与该反相缓冲器的输出端连接的泄极;一第二PMOS电晶体,具有一电源供应电压施于其上的源极和该第一反相器之输出信号施于其上的闸极;一第三PMOS电晶体具有一与该第二PMOS电晶体之泄极连接的源极、输入信号施于其上的闸极以及和该反相缓冲器之输出端连接的泄极;一第一NMOS电晶体具有和该反相缓冲器的输出端连接之泄极和该输入信号施于其上之闸极;和一第二NMOS电晶体具有和该第一NMOS电晶体之源极连接的泄极、一该输入信号施于其上的闸极,以及一接地电压施舫其上的源极。图式简单说明:第一图所示为一传统的TTL输入缓冲器之电路图;第二图所示为当出现VDD杂讯和VSS杂讯出现时,第一图之传统的TTL输入缓冲器之操作时序图;和第三图所示为根据本发明之输入缓冲器的电路图。 |
