| 主权项 |
1.一种射频高功率低反射电压控制式衰减器,为一种可对射频大功率讯号进行衰减之电压控制式衰减器,其结构包括:一功率分路器,为以微带线路构成“口"字形之平行微带,并在四个角落处形成两输入端及两输出端,于功率分路器的其一输入端设为实际的输入端点,另一输入端设有接地之旁路电阻;一功率合成器,亦为以微带线路构成“口"字形之平行微带,并在四个角落处形成两输入端及两输出端,于功率合成器的其一输出端设为实际的输出端点,另一输出端设有接地之旁路电阻;两微带线路,为设置在功率分路器与功率合成器之间,得藉由两微带线路使得前述功率分路器以及功率合成器呈连通型态;两高频功率二极体,为各别连接在各微带线路上,并引出控制线与一外部控制电压点连接;藉功率分路器将输入功率分离成两相差九十度之讯号,再经由两受控于外部控制电压之高频功率二极体进行讯号衰减处理,再由功率合成器合并还原为单一输出讯号,且在处理期间的反射讯号均由旁路电阻旁路至地点,构成一射频大功率与低反射型式之电压控制式衰减器。2.如申请专利范围第1项所述之射频高功率低反射电压控制式衰减器,其中该功率分路器以及功率合成器的长宽均设为频率范围的四分之一波长者。3.如申请专利范围第1项所述之射频高功率低反射电压控制式衰减器,其中该两微带线路与功率分路器以及功率合成器之间系以耦合电容构成讯号衔接者。4.如申请专利范围第1项所述之射频高功率低反射电压控制式衰减器,其中两高频功率二极体更串接有保护电阻,得保护功率二极体与分担部份承受功率。5.如申请专利范围第1项所述之射频高功率低反射电压控制式衰减器,其中该外部控制电压为在+2-+15伏特之间变化,而可获得-1分则--20分贝的衰减率。6.如申请专利范围第1项所述之射频高功率低反射电压控制式衰减器,其中该微带线路的电路基板可使用玻璃纤维、陶瓷板或铁弗龙构成者。7.如申请专利范围第1或6项所述之射频高功率低反射电压控制式衰减器,其中该微带线路之电路基板以铁弗龙构成为最佳者。8.如申请专利范围第1项所述之射频高功率低反射电压控制式衰减器,其中该微带线路之电路基板宜使用介电常数较低者构成者。图式简单说明:第一图:系本创作串接于两功率放大器之间的示意图。第二图:系本创作之详细电路图。第三图:系本创作之衰减率与频率响应的特性曲线图。第四图:系本创作之实施例图。第五图:系习知电压控制式衰减器之电路图。 |
