| 主权项 |
1.一种于半导体元件内形成具徐缓轻掺杂汲极(LDD)结构之方法,至少包含:形成一闸极区于一半导体基底上;形成一覆盖层于该闸极区及该基底上;植入离子至该基底内;形成一侧壁间隙于该闸极区之侧壁,该侧壁间隙具有一内凹之表面;及以该闸极区及该侧壁间隙为遮罩,植入离子至该基底内,以形成一徐缓布质之剖面。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该闸极区至少包含一多晶矽区于该基底上,及一氧化矽区于该多晶矽区上。3.如申请专利范围第1项之方法,其中形成上述之侧壁间隙的步骤至少包含:图布一旋涂式玻璃层于该覆盖层上;回火该旋涂式玻璃层;及回蚀该旋涂式玻璃层以形成该侧壁间隙。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之覆盖层至少包含氮化矽。5.一种形成具徐缓轻掺杂汲极(LDD)结构之半导体元件的方法,至少包含:形成一闸极区于一半导体基底上;形成一覆盖层于该闸极区及该基底上;植入离子至该基底内;形成一第一侧壁间隙于该闸极区之侧壁,该第一侧壁间隙具有一内凹之表面;以该闸极区及该第一侧壁间隙为遮罩,植入离子至该基底内,以形成一徐缓布植之剖面;除去该第一侧壁间隙及该覆盖层;及形成一第二侧壁间隙于该闸极区之侧壁。6.如申请专利范围第5项之方法,更包含回火该基底,以平滑化该徐缓布植之剖面。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该闸极区至少包含一多晶矽区于该基底上,及一氧化矽区于该多晶矽区上。8.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之覆盖层至少包含氮化矽。9.如申请专利范围第5项之方法,其中形成上述之第一侧壁间隙的步骤至少包含:涂布一旋涂式玻璃层于该覆盖层上;回火该旋涂式玻璃层;及回蚀该旋涂式玻璃层以形成该第一侧壁间隙。10.如申请专利范围第5项之方法,其中形成上述之第二侧壁间隙的步骤至少包含:沈积一介电层于该闸极区及该基底上;及回蚀该介电层以形成该第二侧壁间隙。11.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之第二侧壁间隙至少包含氧化矽。12.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之第二侧壁间隙至少包含氮化矽。13.一种形成具徐缓轻掺杂汲极(LDD)结构之半导体元件的方法,至少包含:形成一闸极区于一半导体基底上;形成一氮化矽层于该闸极区及该基底上;植入离子至该基底内;涂布一旋涂式玻璃层于该氮化矽层上;回火该旋涂式玻璃层;回蚀该旋涂式玻璃层以形成一第一侧壁间隙于该闸极区之侧壁,该第一侧壁间隙具有一内凹之表面;以该闸极区及该第一侧壁间隙为遮罩,并经由该氮化矽层,植入离子至该基底内,以形成一徐缓布植之剖面;除去该第一侧壁间隙及该氮化矽层;沈积一介电层于该闸极区及该基底上;回蚀该介电层以形成一第二侧壁间隙于该闸极区之侧壁;及回火该基底,因而平滑化该徐缓布植之剖面。14.如申请专利范围第12项之方法,其中该闸极区至少包含一多晶矽区于该基底上,及一氧化矽区于该多晶矽区上。15.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之介电层至少包含氮化矽。16.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之介电层至少包含氧化矽。图式简单说明:第一图至第六图显示根据本发明实施例之一,以形成具有徐缓轻掺杂汲极(LDD)结构之金属氧化半导体场效电晶体(MOSFET)之各个步骤剖面图。 |
