| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de formation de points mémoire comportant des grilles de commande et flottante comprenant les étapes suivantes : délimiter à la surface d'un substrat semiconducteur (1) une région active par des zones d'isolement (2); former une première couche isolante (3) ; ouvrir une fenêtre dans la première couche isolante pour découvrir partiellement toute la largeur de la région active et une partie des zones d'isolement; former une deuxième couche isolante très mince (4); déposer un premier conducteur (5) ; former une troisième couche isolante (6); et déposer un deuxième conducteur (7), et comprenant en outre une étape de gravure des premier et deuxième conducteurs et des troisième, deuxième et première couches isolantes selon un même contour pour découvrir la région active et les zones d'isolement au voisinage des frontières (OP1, OP2) entre la région active et les zones d'isolement.</P> |
