| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un procédé d'élimination simultanée pour un revêtement antiréfléchissant diélectrique oxygéné et/ou azoté pendant l'attaque au plasma d'une couche sous-jacente dans un empilement de films. Le procédé de l'invention consiste en une attaque de l'empilement de films au moyen d'un plasma contenant des espèces fluorées réactives. La concentration de ces espèces fluorées réactives dans le plasma se gère en fonction de l'un au moins des critères suivants: la teneur en oxygène du revêtement antiréfléchissant, la teneur en azote du revêtement antiréfléchissant, l'épaisseur de la couche de revêtement antiréfléchissant et l'épaisseur de la couche sous-jacente de l'empilement de couches. L'invention concerne également des combinaisons préférées de gaz source de plasma qui permettent une élimination simultanée du revêtement antiréfléchissant diélectrique oxygéné et/ou azoté pendant l'attaque au plasma d'une couche sous-jacente dans un empilement de films auquel cas la couche sous-jacente de l'empilement de films comprend un siliciure de métal, un silicium polycristallin, ou un métal. L'invention concerne enfin une formule de calcul de la quantité de revêtement antiréfléchissant diélectrique éliminé en utilisant une recette donnée de traitement d'attaque, en tenant compte de la sélectivité d'attaque d'une recette de traitement particulière.</p> |
