METHOD FOR CREATING A LAYER DURING THE PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT AND A SEMICONDUCTOR COMPONENT

摘要

Bei einem zur Herstellung eines auf einem Halbleitersubstrat realisierten Halbleiterbauelements eingesetzten Schichterzeugungsverfahren wird mittels Plasma-Polymerisation ein Fluorkohlenwasserstoff-Polymerisat-Film über dem Halbleitersubstrat erzeugt. Bei der Filmerzeugung wird die Temperatur des Halbleitersubstrats auf einen Wert kleiner oder gleich 120°C eingestellt. Das eingesetzte Prozessgasgemisch enthält ein fluoriertes Kohlenwasserstoffgas.