| 主权项 |
1.一种具有高纵横比之结构的制造方法,具有下列步骤:待制造之结构之材料是以一层之形式而提供,一遮罩施加至该层,使用遮罩时该层承受乾蚀刻,因而形成层材料之再沈积于遮罩之侧壁上,遮罩被移走,以致于留下一具有高纵横比之结构。2.如申请专利范围第1项之方法,其中一电浆蚀刻过程用于层之乾蚀刻。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中在层之乾蚀刻期间,提供一气体或气体混合物,较佳为一贵重气体,其不与待制造之结构的材料形成挥发性化合物。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中反应离子蚀刻(RIE)、磁强化反应离子蚀刻(MERIE)、电子回旋共振蚀刻(ECR蚀刻)或感应耦合电浆蚀刻过程(ICP,TCP)可用于层之乾蚀刻。5.如申请专利范围第1项之方法,其中结构之纵横比大于2,较佳为大于10。6.如申请专利范围第1项之方法,其中结构被设计成为一自稳定结构。7.如申请专利范围第6项之方法,其中结构被设计成为一封闭结构。8.如申请专利范围第1项之方法,其中层含有一金属,特别是铜、铁、钴、镍、或4d或5d过渡金属,特别是铂金属。9.如申请专利范围第8项之方法,其中含有铂、金、银、铱、钯、钌、铼或其氧化物。10.如申请专利范围第1,5,6或7项之方法,其中至少另一层施加于结构,再次导致具有个高纵横比之结构。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该另一层是一绝缘层。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该另一层含有铁电体材料、介电材料,特别是具有高相对介电常数之介电材料,钙钛矿或这些材料之初级粒子。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该另一层含有钽酸锶铋(SBT,SrBi2Ta2O9)、铌酸钽酸锶铋(SENT,SrBi2Ta2-xNbxO9,x=0-2)或衍生物,锆酸钛酸铅(PZT,Pb(Zr,Ti)O3)或衍生物或钛酸钡锶(BST,BaxSr1-xTiO3,x=0-1),钛酸铅镧(PLT,(pb,La)TiO3),锆酸钛酸铅镧(PLZT,(pb,La)(Zr,Ti)O3)或衍生物。14.如申请专利范围第11项之方法,其中另一导电层施加至绝缘层,再导致一具有高纵横比之结构。15.如申请专利范围第12项之方法,其中另一导电层施加至绝缘层,再导致一具有高纵横比之结构。16.如申请专利范围第13项之方法,其中另一导电层施加至绝缘层,再导致一具有高纵横比之结构。17.如申请专利范围第14项之方法,其中待制造之结构的材料以一层之形式施加至一导电层。18.如申请专利范围第15项之方法,其中待制造之结构的材料以一层之形式施加至一导电层。19.如申请专利范围第16项之方法,其中待制造之结构的材料以一层之形式施加至一导电层。图式简单说明:第一图至第四图示意性显示具有高纵横比之结构的发明性制造方法。第五图示意性显示一蚀刻室,其系用于依据本发明之方法且系一平行板反应器之形式。 |
