发明名称 清除晶圆边缘时减少微粒的方法
摘要 一种有关于晶圆边缘剥落时,减少残留在晶圆表面微粒(particle)的方法。特别是有关于一种晶圆边缘的金属薄膜(metal film)或氧化物薄膜(oxide films)产生剥落,而要清洗晶圆表面以将之清除掉时,减少残留在晶圆表面的微粒以及避免刮伤晶圆表面的方法。此方法系用不会刮伤该晶圆的一种材质所作成的刷子,直接接触晶圆并磨擦晶圆之边缘的表面,以完成清洗该晶圆边缘的剥落物质之效果然后再以去离子水(Dl water)清洗该晶圆之全部表面。
申请公布号 TW430875 申请公布日期 2001.04.21
申请号 TW085114603 申请日期 1996.11.26
申请人 台湾茂矽电子股份有限公司 发明人 何文郁
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种清洗晶圆的方法、该方法包含下列步骤:清洗一晶圆之边缘,系以不会刮伤该晶圆之一装置,直接接触该晶圆并磨擦该晶圆之边缘的表面,以清洗位于该晶圆边缘之剥落物质;以及清洗该晶圆之全部表面。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之装置是以PVA材质为原料的刷子。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之清洗该晶圆之全部表面的方法是以超音波振动去离子水,并以该去离子水清洗该晶圆之所有表面,以去除位于该晶圆表面之微粒。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之清洗该晶圆之全部表面的方法是以超音波振动该晶圆,并以去离子水清洗该晶圆之所有表面,以去除位于该晶圆表面之微粒。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之清洗该晶圆之全部表面的方法是以超音波振动去离子水和该晶圆,并以该去离子水清洗该晶圆之所有表面,以去除位于该晶圆表面之微粒。6.一种清洗晶圆的方法,该方法包含下列步骤:清洗一晶圆之边缘;以及清洗该晶圆之全部长面,其至少须以超音波振动去离子水或该晶圆的其中之一,以清洗该晶圆的所有表面,而去除位于该晶圆表面之微粒。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之清洗该晶圆之边缘是以不会刮伤该晶圆之一装置,直接接触该晶圆并磨擦晶圆之边缘的表面,以清洗位于该晶圆边缘之剥落物质。8.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之装置是以PVA材质为原料的刷子。9.一种清洗晶圆的方法,该方法包含下列步骤:清洗一晶圆之边缘,系以不会刮伤该晶圆之一装置直接接触该晶圆并磨擦该晶圆之边缘的表面,以清洗该晶圆边缘之剥落物质;以及清洗该晶圆之全部表面,其至少须以超音波振动去离子水或该晶圆其中之一,并以该去离子水清洗该晶圆的所有表面,以去除位于该晶圆表面之微粒。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之装置是以PVA(Polyvinyl alcohol:聚乙烯醇)材质为原料的刷子。图式简单说明:第一图a为超音波清洗法(desonic cleaning method)清洗晶圆示意图的俯视图,亦为本发明的第二个步骤-用来清除晶圆表面微粒及第一个步骤中未完全清除之剥落物质的方法。第一图b为超音波清洗法(desonic cleaning method)清洗晶圆示意图的侧面剖面图,亦为本发明的第二个步骤-用来清除晶圆表面微粒及第一个步骤中未完全清除之剥落物质的方法。第二图a为PVA刷除法(PVA brush cleaning method)清洗晶圆示意图的俯视图。第二图b为PVA刷除法(PVA brush cleaning method)清洗晶圆示意图的侧面剖面图。第三图a为本发明的第一个步骤,亦即清除晶圆边缘剥落物质之方法示意图的俯视图,其中晶圆边缘剥落的物质被明显的标示出来。第三图b为本发明的第一个步骤,亦即清除晶圆边缘剥落物质之方法示意图侧面的剖面图。
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