| 主权项 |
1.一种应用于半导体晶圆上之化学机械研磨制程之对准方法,该晶圆上具有主对准标记做为对准程序之参考指标,该方法至少包含:利用该主对准标记做为第一参考指标形成第一内连线于该晶圆之上,该第一内连线具有第一凹陷部份做为第一非零层对准标记;形成第一介电层于该第一内连线之上;及利用该第一非零层对准标记做为第二参考指标以形成第二内连线于该第一介电层之上,该第二内连线具有第二凹陷部份做为第二非零层对准标记。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之方法更包含:形成第二介电层于该第二内连线之上;及利用该第二非零层对准标记做为第三参考指标以形成第三内连线于该第二介电层之上,该第三内连线具有第三凹陷部份做为第三非零层对准标记,其中上述之第三非零层对准标记位于该第一非零层对准标记之上。3.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之方法更包含:形成第三介电层于该第三内连线之上;及利用该第三非零层对准标记做为第四参考指标以形成第四内连线于该第三介电层之上,该第三内连线具有第四凹陷部份做为第四非零层对准标记,其中上述之第四非零层对准标记位于该第二非零层对准标记之上。4.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之方法更包含:形成第四介电层于该第四内连线之上;及利用该第四非零层对准标记做为第五参考指标以形成第五内连线于该第四介电层之上,该第四内连线具有第五凹陷部份做为第五非零层对准标记,其中上述之第五非零层对准标记位于该第三非导层对准标记之上。5.如申请专利范围第1项之方法,其中形成上述之第一内连线之后更包含施以第一化学机械研磨制程。6.如申请专利范围第1项之方法,其中形成上述之第二内连线之后更包含施以第二化学机械研磨制程。7.如申请专利范围第2项之方法,其中形成上述之第三内连线之后更包含施以第三化学机械研磨制程。8.如申请专利范围第3项之方法,其中形成上述之第四内连线之后更包含施以第四化学机械研磨制程。9.如申请专利范围第4项之方法,其中形成上述之第五内连线之后更包含施以第五化学机械研磨制程。10.一种应用于半导体晶圆上之化学机械研磨制程之对准方法,该晶圆上具有主对准标记做为对准程序之参考指标,该方法至少包含:蚀刻一位于该晶圆上之第一介电层以形成第一孔洞于其中,该第一孔洞与该主对准标记偏移;形成第一导电栓于该第一孔洞中之大部分,且距离该第一介电层之表面一距离;形成第一导电层于该第一介电层及该第一导电栓之上,该第一导电层具有第一凹陷部份对准于该第一孔洞且做为第一非导层对准标记,其中上述之第一导电栓及上述之第一导电层做为第一内连线;形成第二介电层于该第一导电层之上;蚀刻该第二介电层以形成第二孔洞于其中,该第二孔洞位于该第一非零层对准标记之侧;形成第二导电栓于该第二孔洞中之大部分,且距离该第二介电层之表面一距离;及形成第二导电层于该第二介电层及该第二导电栓之上,该第二导电层具有第二凹陷部份对准于该第二孔洞且做为第二非零层对准标记,其中上述之第二导电栓及上述之第二导电层做为第二内连线。11.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之方法更包含:形成第三介电层于该第二导电层之上;蚀刻该第三介电层以形成第三孔洞于其中,该第三孔洞位于该第二非零层对准标记之侧且位于该第一非零层对准标记之上;形成第三导电栓于该第三孔洞中之大部分,且距离该第三介电层之表面一距离;及形成第三导电层于该第三介电层及该第三导电栓之上,该第三导电层具有第三凹陷部份对准于该第三孔洞且做为第三非零层对准标记,其中上述之第三导电栓及上述之第三导电层做为第三内连线。12.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之方法更包含:形成第四介电层于该第三导电层之上;蚀刻该第四介电层以形成第四孔洞于其中,该第四孔洞位于该第三非零层对准标记之侧且位于该第二非零层对准标记之上;形成第四导电栓于该第四孔洞中之大部分,且距离该第四介电层之表面一距离;及形成第四导电层于该四第介电层及该第四导电栓之上,该第四导电层具有第四凹陷部份对准于该第四孔洞且做为第四非零层对准标记,其中上述之第四导电栓及上述之第四导电层做为第四内连线。13.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之方法更包含:形成第五介电层于该第四导电层之上;蚀刻该第五介电层以形成第五孔洞于其中,该第五孔洞位于该第四非零层对准标记之侧且位于该第三非零层对准标记之上;形成第五导电栓于该第五孔洞中之大部分,且距离该第五介电层之表面一距离;及形成第五导电层于该五第介电层及该第五导电栓之上,该第五导电层具有第五凹陷部份对准于该第五孔洞且做为第五非零层对准标记,其中上述之第五导电栓及上述之第五导电层做为第五内连线。14.如申请专利范围第10项之方法,其中形成上述之第一导电层之后更包含施以第一化学机械研磨制程。15.如申请专利范围第10项之方法,其中形成上述之第二导电层之后更包含施以第二化学机械研磨制程。16.如申请专利范围第11项之方法,其中形成上述之第三导电层之后更包含施以第三化学机械研磨制程。17.如申请专利范围第12项之方法,其中形成上述之第四导电层之后更包含施以第四化学机械研磨制程。18.如申请专利范围第13项之方法,其中形成上述之第五导电层之后更包含施以第五化学机械研磨制程。图式简单说明:第一图本发明形成主对准标记及形成第一介电层于晶圆上之截面图。第二图本发明形成第一非零层对准标记于晶圆上之截面图。第三图本发明形成复制之第一非零层对准标记于晶圆上之截面图。第四图本发明形成第二非零层对准标记于晶圆上之截面图。第五图本发明形成第三、第四及第五非零层对准标记于晶圆上之截面图。 |
