| 主权项 |
1.一种晶圆缺陷检查及特性分析之方法,其可于晶圆阶段自动地定位缺陷位置及分析缺陷特性;该方法至少包括:在一晶圆进行标准积体电路制程前,于该晶圆边界周围附近复数个位置形成用以晶圆定位之复数个对准记号;在该晶圆进行标准积体电路制程后,将该些对准记号在一检查工具之座标系统与一特性分析工具之座标系统之座标数据经由一简单代数运算,求得该检查工具之座标系统至该特性分析工具之座标系统之一座标转换矩阵;以及以该座标转换矩阵为转换基础,将该检查工具取得该晶圆之一缺陷之座标由该检查工具之座标系统转换至该特性分析工具之座标系统,依此方式该特性分析工具可准确地驱动至该缺陷位置并分析该缺陷特性。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该些对准记号为3个,在该检查工具之座标系统之座标表示为(IX1,IY1),(IX2,IY2),(IX3,IY3),在该特性分析工具之座标系统之座标表示为(CX1,CY1),(CX2,CY2),(CX3,CY3),则座标关系二变数一阶方程式如下:CX=1*IX+b1IY+c1CY=2*IX+b2IY+c2以该简单代数运算,则以矩阵表示为:其中,该座标转换矩阵为M矩阵。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该些对准记号为4个,在该检查工具之座标系统之座标表示为(IX1,IY1),(IX2,IY2),(IX3,IY3),(IX4,IY4),在该特性分析工具之座标系统之座标表示为(CX1,CY1),(CX2,CY2),(CX3,CY3),(CX4,CY4),则座标关系二变数二阶方程式如下:CX=1*IX+b1IY+c1*IX*IY+d1CY=2*IX+b2IY+c2*IX*IY+d2以该简单代数运算,则以矩阵表示为:其中,该座标转换矩阵为M矩阵。4.一种晶圆缺陷检查及特性分析之方法,其可于晶圆阶段自动地定位缺陷位置及分析缺陷特性;该方法至少包括:在一晶圆进行标准积体电路制程前,于该晶圆边界周围附近复数个位置形成用以晶圆定位之一对准记号;在该晶圆进行标准积体电路制程后,将该对准记号在一检查工具之座标系统与一特性分析工具之座标系统之座标数据经由一简单代数运算,求得该检查工具之座标系统至该特性分析工具之座标系统之一座标转换矩阵;以及以该座标转换矩阵为转换基础,将该检查工具取得该晶圆之一缺陷之座标由该检查工具之座标系统转换至该特性分析工具之座标系统,依此方式该特性分析工具可准确地驱动至该缺陷位置并分析该缺陷特性。5.一种晶圆缺陷检查及特性分析之方法,其可于晶圆阶段自动地定位缺陷位置及分析缺陷特性;该方法至少包括:在一晶圆进行进一步加工之前,于该晶圆上形成用以晶圆定位之复数个对准记号;在该晶圆进行加工之后,将该些对准记号在一检查工具之座标系统与一特性分析工具之座标系统之座标数据经由一简单代数运算,求得该检查工具之座标系统至该特性分析工具之座标系统之一座标转换矩阵;以及以该座标转换矩阵为转换基础,将该检查工具取得该晶圆之一缺陷之座标由该检查工具之座标系统转换至该特性分析工具之座标系统,依此方式该特性分析工具可准确地驱动至该缺陷位置并分析该缺陷特性。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该加工步骤包括氧化、扩散、布植、蚀刻、沉积、微影等制程步骤之任一种组合。7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该些对准记号为3个,在该检查工具之座标系统之座标表示为(IX1,IY1),(IX2,IY2),(IX3,IY3),在该特性分析工具之座标系统之座标表示为(CX1,CY1),(CX2,CY2),(CX3,CY3),则座标关系二变数一阶方程式如下:CX=1*IX+b1IY+c1CY=2*IX+b2IY+c2以该简单代数运算,则以矩阵表示为:其中,该座标转换矩阵为M矩阵。8.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该些对准记号为4个,在该检查工具之座标系统之座标表示为(IX1,IY1),(IX2,IY2),(IX3,IY3),(IX4,IY4),在该特性分析工具之座标系统之座标表示为(CX1,CY1),(CX2,CY2),(CX3,CY3),(CX4,CY4),则座标关系二变数二阶方程式如下:CX=1*IX+b1IY+c1*IX*IY+d1CY=2*IX+b2IY+c2*IX*IY+d2以该简单代数运算,则以矩阵表示为:其中,该座标转换矩阵为M矩阵。9.一种晶圆缺陷检查及特性分析之方法,其可于晶圆阶段自动地定位缺陷位置及分析缺陷特性;该方法的特征为:利用一晶圆进行标准制程前所形成之复数个对准记号在一检查工具之座标系统与一特性分析工具之座标系统的座标资料来获得两座标系统之一座标转换矩阵,该晶圆进行标准制程之后以该检查工具侦测该晶圆有无缺陷,若该晶圆有缺陷则将该缺陷于该检查工具之座标系统的座标以该座标转换矩阵转换成该特性分析工具之座标系统的座标,依此方式该特性分析工具可准确地驱动至该缺陷位置并分析该缺陷特性。 |
