| 主权项 |
1.一种半导体装置,特征在于,具备:于绝缘座基材上具备配线图形之半导体元件装载用基板;具备电极,经由黏接材黏接于前述半导体元件装载用基板,使该电极与前述配线图形电连接之半导体元件;以及至少密封前述电极部之有机绝缘密封材;前述黏接材使用示差扫描热量计以10℃/分温度上昇率所测得发热反应之硬化开始温度在130℃以下。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述半导体元件装载用基板在形成前述配线图形之面之里面具备与该配线图形导通之外部连接端子,前述有机绝缘密封材密封,使前述半导体元件表面不露出。3.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中前述黏接材于30℃、85%RH之饱和吸湿率在0.18wt%以下。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述有机绝缘密封材于成形温度与室温间有玻璃转变温度;前述半导体元件装载用基板之线膨胀系数与前述玻璃转变温度以下前述有机绝缘密封材之线膨胀系数差在0.610-5/℃以上;前述有机绝缘密封材成形时之硬化收缩率在0.11%以下。5.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中前述有机绝缘密封材于成形温度与室温间有玻璃转变温度;前述半导体元件装载用基板之线膨胀系数与前述玻璃转变温度以下前述有机绝缘密封材之线膨胀系数差在0.610-5/℃以上;前述有机绝缘密封材成形时之硬化收缩率在0.11%以下。6.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中前述有机绝缘密封材于成形温度与室温间有玻璃转变温度;前述半导体元件装载用基板之线膨胀系数与前述玻璃转变温度以下前述有机绝缘密封材之线膨胀系数差在0.610-5/℃以上;前述有机绝缘密封材成形时之硬化收缩率在0.11%以下。7.如申请专利范围第4至6项中任一项之半导体装置,其中前述有机绝缘密封材于85℃、85%RH之饱和吸湿率在0.36wt%以下。8.如申请专利范围第4至6项中任一项之半导体装置,其中前述有机绝缘密封材于成形温度下之弯曲弹性率在4.0GPa以下。9.如申请专利范围第7项之半导体装置,其中前述有机绝缘密封材于成形温度下之弯曲弹性率在4.0GPa以下。10.一种半导体装置之制造方法,具备以下步骤:经由黏接材将半导体元件黏接于形成配线图形于绝缘座基材上之半导体元件装置用基板之表面上,使该半导体元件之电极与前述配线图形电连接之步骤;以及以有机绝缘密封材密封前述半导体元件之至少电极部之步骤;使用藉示差扫描热量计以10℃/分温度上昇率所测得发热反应之硬化开始温度在130℃以下之黏接材作为前述黏接材。图式简单说明:第一图系显示本发明半导体装置之构造之剖视图。第二图系回熔时发生龟裂之BGA半导体装置之剖视图。第三图系显示装载半导体元件于半导体装载用基板上之半导体装置之制造步骤说明图。第四图系显示示差扫描热量计(DSC)所测得温度与发热量关系之图表,其显示黏接材之硬化动态。第五图系黏接材之饱和吸湿率测定用试料之斜视图。第六图系显示温度与有机绝缘密封材收缩量之关系之图表。 |
