| 主权项 |
1.一种半导体元件接触窗开口的制造方法,适用在一基底上,该制造方法至少包括:提供复数个闸极结构,形成在该基底上,该闸极结构侧壁上具有一绝缘间隙壁,而该闸极间暴露出该基底表面;在该闸极结构间暴露出的该基底表面上形成一导电矽层,覆盖该基底表面,而该导电矽层之厚度低于该绝缘间隙壁之高度;在该基底上形成一介电层;以及在该介电层中形成一接触窗开口。2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件接触窗开口的制造方法,其中该导电矽层包括选择性沉积形成。3.如申请专利范围第1项所述之半导体元件接触窗开口的制造方法,其中该接触窗包括一自动对准接触窗。4.如申请专利范围第1项所述之半导体元件接触窗开口的制造方法,其中该接触窗包括一节点接触窗。5.如申请专利范围第1项所述之半导体元件接触窗开口的制造方法,其中该闸极结构包括一导电层、以及形成在该导电层上之一盖绝缘层组成。6.一种半导体元件自动对准接触窗开口的制造方法,该制造方法至少包括:在一基底上形成复数个闸极结构;在该些闸极结构侧壁上形成一绝缘间隙壁;在该闸极结构间形成一选择性磊晶矽层,而该选择性磊晶矽层之表面低于该闸极结构的顶部表面;在该基底上形成一绝缘层,覆盖该些闸极结构;以及在该绝缘层中形成一自动对准接触窗开口,暴露出该选择性磊晶矽层。7.如申请专利范围第6项所述之半导体元件自动对准接触窗开口的制造方法,其中该基底包括一矽基底。8.如申请专利范围第6项所述之半导体元件自动对准接触窗开口的制造方法,其中该选择性磊晶矽层包括以化学气相沉积法沉积形成。9.如申请专利范围第6项所述之半导体元件自动对准接触窗开口的制造方法,其中该选择性磊晶矽层系选择性形成在暴露出的该基底上,但不沉积在该绝缘间隙壁与该闸极结构上。10.如申请专利范围第6项所述之半导体元件自动对准接触窗开口的制造方法,其中在该介电层中形成一自动对准接触窗的步骤包括定义该介电层,以及以该选择复晶矽层作为一蚀刻终点而蚀刻该介电层的步骤。11.如申请专利范围第6项所述之半导体元件自动对准接触窗开口的制造方法,其中该闸极结构包括一导电层、以及形成在该导电层上之一盖绝缘层组成。12.一种半导体元件的制造方法,该制造方法至少包括:在一基底上形成一闸极结构;在该闸极结构侧壁上形成一绝缘间隙壁;以及在该绝缘间隙壁周围选择性沉积一复晶矽层,其中该复晶矽层之上表面低于该闸极结构之顶部表面。13.如申请专利范围第12项所述之半导体元件的制造方法,其中该基底包括一矽基底。14.如申请专利范围第12项所述之半导体元件的制造方法,其中在沉积该复晶矽层后更包括在该基底上形成一介电层,覆盖该闸极结构;以及在该介电层中形成一接触窗,暴露出该复晶矽层。15.如申请专利范围第12项所述之半导体元件的制造方法,其中形成该闸极结构的步骤更包括在该基底上依序形成一闸极氧化物层、一导电层与一盖绝缘层;以及定义该盖绝缘层、该导电层与该闸极氧化物层,而形成该闸极结构。图式简单说明:第一图系显示一种自动对准接触窗开口的剖面图;第二图A-第二图C系显示根据本发明较佳实施例半导体元件接触窗开口之制造流程剖面图;以及第三图系显示本发明半导体元件之结构剖面图。 |
