| 主权项 |
1.一种生产半导体装置之方法,其包含:黏着一片保护表面用之感压黏着片于半导体晶圆之主面侧上,晶圆之主面侧上成形有电路及抗蚀材料于电路上,于保护主面侧之同时研磨晶圆之反侧,及撕离感压黏着片而去除由晶圆黏着至感压黏着片上之抗蚀材料。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体晶圆于其电路形成面上至多具有不规则度3至200m。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体晶圆具有钝化膜于其电路形成面上及选择性具有表面保护膜于钝化膜上。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体晶圆具有一墨点或凸块于其电路形成面上。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该保护表面用之感压黏着片包含一层可固化感压黏着层,及该方法进一步包含于研磨晶圆之反侧后但于撕离感压黏着片之前执行感压黏着片之固化。6.一种保护表面用之感压黏着片,其包含一基底膜其可透过紫外光及一紫外光可固化型感压黏着层形成于其上,其中该紫外光可固化型感压黏着层系经由搀混20至200份重量比含至少一个可聚合碳-碳双键之非挥发性低分子量物质及0.1至10份重量比光聚合引发剂与10份重量比之(甲基)丙烯酸烷酯聚合物制备,于100份重量比具有重均分子量300,000至2,000,000之(甲基)丙烯酸烷酯聚合物获得,及该黏着层具有初模量于固化后可增高至少5倍。7.如申请专利范围第6项之保护表面用之感压黏着片,其中该紫外光可固化型感压黏着层具有厚度至少为20m。 |
