积体电路顶座组件及其制造方法

摘要

一种积体电路(IC)顶座次组件，包括一安装至顶座之隔板。由一IC晶粒或IC晶粒载体组件所构成之 IC晶粒组件，予以安装至隔板，其予以安装至顶座。隔板之热膨胀系数予以选择为在IC晶粒组件与顶座之热膨胀系数之间，以使由于热膨胀及收缩之应力最少。另外，隔板在厚度及长度为实际小于IC晶粒组件及顶座，从而IC晶粒组件显现为支座安装。使隔板与IC晶粒组件间之接触面之长度最小，可减低由于热膨胀之差异而翘曲或破裂之危险。这允许使用远为较大之IC晶粒及像素阵列。

主权项

1.一种电路装置,包含:一积体电路晶粒组件,有导电垫片;一顶座,包括在其第一侧面之电触点;隔板装置,供将积体电路晶粒组件成间开关系紧固至顶座之第二侧面;以及导电装置,供将积体电路晶粒组件之导电垫片电连接至顶座之电触点。2.如申请专利范围第1项之电路装置,其中该积体电路晶粒组件有一热膨胀系数及该顶座有一热膨胀系数,以及该隔板装置有一热膨胀系数在积体电路晶粒组件之热膨胀系数与顶座之热膨胀系数之间。3.如申请专利范围第1项之电路装置,其中该积体电路晶粒组件有一第一表面有一第一尺寸及一第二尺寸相互正交于第一尺寸,该隔板装置有一第一表面有一第一尺寸及一第二尺寸相互正交于第一尺寸,以及该积体电路晶粒组件之第一表面予以固着至隔板装置之第一表面;以及该隔板装置之第一尺寸为少于该积体电路晶粒组件之第一尺寸,以及该隔板装置之第二尺寸为少于该积体电路晶粒组件之第二尺寸。4.如申请专利范围第3项之电路装置,其中该隔板装置之第一尺寸为不超过积体电路晶粒组件之第一尺寸之75%,及该隔板装置之第二尺寸为不超过积体电路晶粒组件之第二尺寸之75%。5.如申请专利范围第1项之电路装置,其中该导电装置包括使积体电路晶粒组件之导电垫片与顶座之电触点连接之打线接合。6.如申请专利范围第1项之电路装置,其中该导电装置包括一金属材料薄膜施加至使载体之导电垫片与顶座之电触点连接之积体电路晶粒组件及顶座。7.如申请专利范围第1项之电路装置,其中该隔板经由一第一紧固装置予以紧固至顶屋。8.如申请专利范围第7项之电路装置,其中该第一紧固装置包含一种金属软熔材料。9.如申请专利范围第8项之电路装置,其中该第一紧固装置包含一种金锡合金材料。10.如申请专利范围第1项之电路装置,其中该积体电路晶粒组件经由一第二紧固装置予以紧固至该隔板。11.如申请专利范围第10项之电路装置,其中该第二紧固装置包含一种玻璃材料。12.如申请专利范围第1项之电路装置,其中该积体电路晶粒组件为一电荷耦合装置(CCD)。13.如申请专利范围第12项之电路装置,其中该积体电路晶粒组件为一背面照明CCD。14.一种电路装置,包含:一电荷耦合装置(CCD)组件,有导电垫片;一顶座,有导电垫片在其第一侧面连接至在其第二侧面之电触点;隔板装置,供将CCD组件安装至顶座,从而使CCD组件之第一侧面保持在自顶座第一侧面之预先界定距离;以及导电装置,供将CCD组件之至少一导电垫片电连接至顶座之至少一导电垫片。15.如申请专利范围第14项之电路装置,其中该CCD组件有一热膨胀系数,及该顶座有一热膨胀系数,以及该隔板装置有一热膨胀系数在CCD组件之热膨胀系数与顶座之热膨胀系数之间。16.如申请专利范围第14项之电路装置,其中该CCD组件有一第一表面有一第一尺寸及一第二尺寸相互正交于第一尺寸,该隔板装置有一第一表面有一第一尺寸及一第二尺寸相互正交于第一尺寸,以及该积体电路晶粒组件之第一表面予以固着至隔板装置之第一表面;以及该隔板装置之第一尺寸为少于CCD组件之第一尺寸,及该隔板装置之第二尺寸为少于CCD组件之第二尺寸。17.如申请专利范围第16项之电路装置,其中该隔板装置之第一尺寸为不超过CCD组件之第一尺寸之75%,及该隔板装置之第二尺寸为不超过CCD组件之第二尺寸之75%。18.如申请专利范围第14项之电路装置,其中该导电装置包括使CCD组件之导电垫片与顶座之电触点连接之打线接合。19.如申请专利范围第14项之电路装置,其中该隔板予以经由一种金属软熔材料紧固至顶座。20.如申请专利范围第14项之电路装置,其中该积体电路晶粒组件经由一种玻璃材料予以紧固至隔板。21.一种将一积体电路晶粒组件附着至顶座之方法,包含下列步骤:A)将一隔板之第一侧面附着至顶座之第一侧面;B)施加一种安装材料至隔板之第二侧面;C)将积体电路晶粒组件紧固在隔板之定位,从而使积体电路晶粒之第一侧面与隔板之第二侧面对准;以及D)在控制之温度状况下,施加压力以接合积体电路晶粒及隔板。22.如申请专利范围第21项之将一积体电路晶粒组件附着至顶座之方法,其中步骤A)包括下列次步骤:1)施加一层第一紧固材料至至少隔板之第一侧面及顶座之第一侧面之一;2)施加热至第一紧固材料及施加压力,以将隔板接合至顶座。23.如申请专利范围第21项之将一积体电路晶粒组件附着至顶度之方法,其中步骤B)包括下列次步骤:1)施加一有控制密度之玻璃层,并软熔该玻璃层,导使玻璃附着至积体电路晶粒之第一侧面;以及2)磨光该玻璃层,从而玻璃层有一实际均匀厚度。24.如申请专利范围第21项之将一积体电路晶粒组件附着至顶度之方法,其中步骤B)包括下列次步骤:1)施加许多层有控制密度之玻璃,并软熔每一层玻璃,导使每一层附着至积体电路晶粒之第一侧面,形成一积累玻璃层;以及2)磨光积累玻璃层,从而积累层玻璃有一实际均匀厚度。图式简单说明:第一图为一根据本发明,包括一顶座次组件之EBCCD管之略图;第二图为一根据本发明之电路装置之略图;以及第三图为一根据本发明之替代性电路装置之略图。