发明名称 藉反应性离子蚀刻于一钢基材的表面上形成式样的方法
摘要 一种于一钢基材的表面上形成式样的方法,包含于该钢基材的该表面上形成一式样化罩层;及反应性离子蚀刻一具有该式样化罩层的整体表面直到该钢基材的该表面被蚀刻而形成一式样,其中该反应性离子蚀刻系藉在一压力为l-100mTorr的一合氯化合物气氛及以射频功率为100-600W所产生的电浆而进行。
申请公布号 TW430695 申请公布日期 2001.04.21
申请号 TW086109925 申请日期 1997.07.14
申请人 行政院国家科学委员会 台北巿和平东路二段一○六号十八楼 发明人 李世光;廖宏荣;吕学士;何念修
分类号 C23F1/28 主分类号 C23F1/28
代理机构 代理人 陈展俊 台北巿和平东路二段二○三号四楼;林圣富 台北巿和平东路二段二○三号四楼
主权项 1.一种于一钢模的表面上形成式样的方法,包含下列步骤:a)于一传统钢模的一表面上形成一式样化罩层;及b)反应性离子蚀刻一具有该式样化罩层的整体表面直到该传统钢模的该表面被蚀刻而形成一式样,其中该反应性离子蚀刻系藉在一压力为1-100mTorr的一含氯化合物气氛及以射频功率为100-600W所产生的电浆而进行,其中该反应性离子蚀刻系在一电浆反应舱内进行,且该含氯化合物之一气体以一介于5-100SCCM的流量被导入该反应舱,及其中该含氯化合物为BCl3,NCl3,SiCl4或具氯取代基甲或乙烷。2.如申请专利范围第1项的方法,其中该含氯化合物为BCl3。3.如申请专利范围第1项的方法,其中该电浆系在压力为30mTorr及以射频功率120W产生。4.如申请专利范围第1项的方法,其中该含氯化合物之一气体以10SCCM的流量被导入该反应舱。5.如申请专利范围第4项的方法,其中该含氯化合物为BCl3。6.如申请专利范围第1项的方法,其中该式样化罩层的形式包含于该传统钢模的该表面上涂布一感光物质层;曝光及显影该感光物质层而形成一式样化感光物质层。7.如申请专利范围第6项的方法,其中该式样化感光物质层被形成的式样使得该传统钢模的该表面的一部分被曝露。8.如申请专利范围第6项的方法,其中该式样化感光物质层被形成的式样使得该传统钢模的该表面未被曝露,并且该式样化感光物质层的表面上具有波状式样。9.如申请专利范围第7项的方法,其中该传统钢模的表面只有该被曝露的部分于步骤b)中被蚀刻。10.如申请专利范围第8项的方法,其中该式样化感光物层及该传统钢模的该表面于步骤b)中依序被蚀刻。11.如申请专利范围第7项的方法,其中该感光物质层为一光阻层,其藉使用一光罩及紫外光而进行曝光。12.如申请专利范围第8项的方法,其中该式样化光阻层系利用雷射光场于该感光物质层上形成全像干涉条纹进行曝光,或利用电子束或雷射直写机于该感光物质层上进行曝光。13.如申请专利范围第1项的方法,其中一附加的氧气及/或氩气被导入该电浆反应舱内以控制该反应性离子蚀刻对该感光物质及传统钢模的蚀刻速率。
地址 台北巿和平东路二段一○