| 主权项 |
1.一种金属化制程,包括下列步骤:(a)在一半导体基底上形成一介电层;(b)于该介电层中定义出一介层洞;(c)沈积一铜金属层在该介电层上,并填入上述介层洞而形成一铜栓塞;(d)定义该介电层上的铜金属层以形成一铜导线;(e)在该铜导线露出的表面上形成一隔绝护层;以及(f)在上述铜导线与介电层上沈积另一介电层。2.如申请专利范围第1项所述之金属化制程,其中步骤(a)更包括:将该介电层平坦化。3.如申请专利范围第1项所述之金属化制程,其中步骤(c)在沈积铜金属层之前更包括:沈积一阻障层于该介层洞的侧壁与底部。4.如申请专利范围第1项所述之金属化制程,其中步骤(c)系以化学气相沈积法(CVD)、物理气相沈积法(PVD)、或电化学沈积法(ECD)沈积该铜金属层。5.如申请专利范围第4项所述之金属化制程,其中步骤(c)更包括:进行一回火程序。6.如申请专利范围第1项所述之金属化制程,其中步骤(d)系以一硬式罩幕定义该介电层上的铜金属层以形成一铜导线。7.如申请专利范围第6项所述之金属化制程,其中该硬式罩幕的材质为氮化矽或氮氧化矽。8.如申请专利范围第1项所述之金属化制程,其中该隔绝护层的材质为铜锗合金(CuGex)。9.如申请专利范围第8项所述之金属化制程,其中步骤(e)系以GeH4或Ge2H6为反应气体,在大于200℃的温度下进行反应。10.如申请专利范围第1项所述之金属化制程,其中步骤(f)更包括:将该介电层平坦化。11.如申请专利范围第1项所述之金属化制程,更包括:重复上述步骤(b)至(d)以形成另一铜栓塞与铜导线。图式简单说明:第一图A-第一图C为一系列剖面图,用以说明习知双镶嵌的制程。第二图A-第二图E为一系列剖面图,用以说明本发明一较佳实施例的金属化制程。 |
