| 主权项 |
1.一种锂二次电池用负极活性物质,其特征为由含 有硼之矽材料粉末所构成,该矽材料粉末中之硼含 量为0.1至50重量%。2.如申请专利范围第1项之锂二 次电池用负极活性物质,其中该负极活性物质之50% 累积直径(d50)为1至100m。3.如申请专利范围第1项 之锂二次电池用负极活性物质,其中该负极活性物 质在X线绕射法测试中来自SiB4(021)面之绕射线之尖 峰强度I(SiB4;021)对来自Si(111)面之绕射线之尖峰强 度I(Si;111)之比I(SiB4;021)/I(Si;111)为小于1。4.一种锂 二次电池用负极活性物质,其特征为由含有或不含 有硼之碳材料粉末与含硼之矽材料粉末所构成,该 矽材粉末中硼之含量为0.1至50重量%。5.如申请专 利范围第4项之锂二次电池用负极活性物质,其中 该负极活性物质50%累积直径(d50)为1至100m。6.如 申请专利范围第4项之锂二次电池用负极活性物质 ,其中该负极活性物质在X线绕射法测试中来自SiB4( 021)面之绕射线之尖峰强度I(SiB4;021)对来自Si(111)面 之绕射线之尖峰强度I(Si;111)之比I(SiB4;021)/I(Si;111) 为小于1。7.如申请专利范围第4项之锂二次电池用 负极活性物质,其中上述碳材料粉末为不含有硼之 碳材料粉末;或上述混合粉末之X线广角绕射法所 测定之绕射尖峰中,来自碳(101)面之绕射线之尖峰 强度(C;021)与来自碳(100)面之绕射线之尖峰I(C;100) 之比I(C;101)/I(C;100)为大于1。8.如申请专利范围第4 项之锂二次电池用负极活性物质,其中上述碳材料 粉末为含有硼之碳材料粉末,且上述混合粉末之X 线广角绕射法所测定之绕射线尖峰中,来自碳(101) 面之绕射线之尖峰强度I(C;101)与来自碳(100)面之绕 射线尖峰I(C;100)之比I(C;101)/I(C;100)为大于2。9.一种 锂二次电池,其含有正极活性物质,负极活性物质 及非水系电解质,其特征为该负极活性物质系由含 有硼之矽材料粉末所构成,该矽材料粉末中之硼含 量为0.1至50重量%。10.如申请专利范围第9项之锂二 次电池,其中该负极活性物质之50%累积直径(d50)为1 至100m。11.如申请专利范围第9项之锂二次电池, 其中该负极活性物质在X线广角绕射法中来自SiB4( 021)面之绕射线之尖峰强度I(SiB4;021)对来自Si(111)面 之绕射线之尖峰强度(Si;111)之比I(SiB4;021)/I(Si;111) 为小于1。12.一种锂二次电池,其含有正极活性物 质,负极活性物质及非水系电解质;其特征为,该负 极活性物质系由含有或不含有硼之碳材料粉末与 含有硼之矽材料粉末所构成,在该矽材料粉末中之 硼含量为0.1至50重量%。13.如申请专利范围第12项 之锂二次电池,其中该负极活性物质之50%累积直径 (d50)为1至100m。14.如申请专利范围第12项之锂二 次电池,其中该负极活性物质在X线广角绕射法之 来自SiB4(021)面之绕射线之尖峰强度I(SiB4;021)对来 自Si(111)面之绕射线之尖峰强度(Si;111)之比I(SiB4;021 )/I(Si;111)为小于1。15.如申请专利范围第12项之锂 二次电池,其中上述碳材料粉末为不含硼之碳材料 粉末,且上述混合粉末之X线广角绕射法中所测定 之绕射尖峰之中,来自碳(101)面之绕射线之尖峰强 度(C;101)与来自碳(100)面之绕射线之尖峰强度I(C;100 )之比I(C;101)/I(C;100)为大于1。16.如申请专利范围第 12项之锂二次电池;其中上述碳材料粉末为含有硼 之碳材料粉末,且上述混合粉末之X线广角绕射法 中所测定之绕射尖峰之中,来自碳(101)面之绕射线 之尖峰强度I(C;101)与来自碳(100)面之绕射线之尖峰 强度I(C;100)之比I(C;101)/I(C;100)为大于2。 |
