| 主权项 |
1.一种高功率双载子接合电晶体之制造方法,该制 造方法至少包括: 提供具有一第一导电型之一基底,该基底中包括一 埋入区,该埋入区具有与该第一导电型相反电性之 一第二导电型,作为该电晶体之一集极; 在该基底形成一沟渠,暴露出该埋入区,且该沟渠 具有一侧壁; 在该侧壁之该基底形成该第二导电型之一吸入区; 在该沟渠中形成具有该第二导电型之一第一磊晶 矽层,该第一磊晶矽层之一表面与该基底同高; 在该第一磊晶矽层中形成具有该第一导电型之一 基极,且该基极具有该第一导电型之一第一掺杂区 ,作为该基极之接触区;以及 在该基极形成具有该第二导电型之一射极,且在该 吸入区形成具有该第一导电型之一第二掺杂区,该 第二掺杂区作为该集极之接触区。2.如申请专利 范围第1项所述高功率双载子接合电晶体之制造方 法,其中提供具有一第一导电型之一基底,该基底 中包括一埋入区的步骤更包括 提供具有该第一导电型之一矽基材; 在该矽基材上形成具有一开口之一罩幕层; 以该罩幕层为罩幕,对该矽基材进行该第二导电型 离子之一植入步骤,在该矽基材上形成具有该第二 导电型之该埋入区; 去除该罩幕层;以及 在该矽基材上形成该第一导电型之一第二磊晶矽 层。3.如申请专利范围第2项所述高功率双载子接 合电晶体之制造方法,该罩幕层包括氧化物层。4. 如申请专利范围第1项所述高功率双载子接合电晶 体之制造方法,其中在该侧壁之该基底形成该第二 导电型之一吸入区更包括 对该侧壁进行该第二导电型离子之一植入步骤; 对该植入离子进行驱入,形成该吸入区,其中在进 行驱入时,该侧壁与该埋入区表面生成一氧化物层 ;以及 去除该埋入区表面之该氧化物层,使该吸入区表面 具有该氧化物层。5.如申请专利范围第4项所述高 功率双载子接合电晶体之制造方法,其中去除该埋 入区表面之该氧化物层包括以乾蚀刻法去除。6. 如申请专利范围第1项所述高功率双载子接合电晶 体之制造方法,其中该射极与该基极接触区以该基 极相隔离。7.如申请专利范围第1项所述高功率双 载子接合电晶体之制造方法,其中该第一导电型为 P型,该第二导电型为N型。8.如申请专利范围第1项 所述高功率双载子接合电晶体之制造方法,其中该 第一导电型为N型,该第二导电型为P型。9.一种高 功率双载子接合电晶体之制造方法,该制造方法至 少包括: 提供一具有一第一导电型之矽基材,且在该矽基材 上具有一埋入区,该埋入区具有与该第一导电型相 反电性之一第二导电型,该埋入区作为该电晶体之 一集极; 在该矽基材上形成具有该第一导电型之一第一磊 晶矽层; 在该第一磊晶矽层形成具有一第一开口之一第一 罩幕层; 以该第一罩幕层为罩幕,在该第一磊晶矽层中形成 一沟渠,暴露出该埋入区,且该沟渠具有一侧壁; 对该侧壁之该第一磊晶矽层进行植入与驱入步骤, 在该侧壁形成具有该第二导电型之一吸入区,其中 在该侧壁与该埋入区表面生成一氧化物层; 去除该埋入区表面之该氧化物层,使该吸入区表面 具有该氧化物层; 在该沟渠中形成具该第二导电型之一第二磊晶矽 层,该第二磊晶矽层具有与该第一磊晶矽层同高之 一表面; 在该第二磊晶矽层中形成具有该第一导电型之一 井区,作为一基极,且在该基极中形成该第二导电 型之一第一掺杂区,作为该基极之接触区;以及 在该基极形成具有该第二导电型之一第二掺杂区, 作为一射极,在该吸入区形成具该第二导电型之一 第三掺杂区,作为该集极之接触区。10.如申请专利 范围第1项所述高功率双载子接合电晶体之制造方 法,其中该埋入区之形成包括 在该矽基材上形成一第二罩幕层; 定义该罩幕层,在该第二罩幕层形成一第二开口, 暴露出部分该矽基材; 以该第二罩幕层为罩幕,对该矽基材进行该第二导 电型离子之植入;以及 去除该第二罩幕层。11.如申请专利范围第10项所 述高功率双载子接合电晶体之制造方法,其中该第 二罩幕层包括氧化物层。12.如申请专利范围第9项 所述高功率双载子接合电晶体之制造方法,其中该 第一罩幕层包括氧化物层。13.如申请专利范围第9 项所述高功率双载子接合电晶体之制造方法,其中 该第一导电型为P型,该第二导电型为N型。14.如申 请专利范围第9项所述高功率双载子接合电晶体之 制造方法,其中该第一导电型为N型,该第二导电型 为P型。15.如申请专利范围第9项所述高功率双载 子接合电晶体之制造方法,其中该射极与该基极接 触区以该基极相隔离。16.如申请专利范围第9项所 述高功率双载子接合电晶体之制造方法,其中去除 该埋入区表面之该氧化物层包括以乾蚀刻法去除 。图式简单说明: 第一图系显示一种习知功率双载子接合电晶体的 剖面图;以及 第二图A至第二图G系显示根据本发明较佳实施例 功率双载子接电晶体之制造流程剖面图。 |
