| 主权项 |
1.一种半导体装置,包括: 一第一导电型之半导体基底; 一闸极电极,经由一闸极氧化层而形成在上述基底 上; 一第二导电型之源极和汲极扩散层,形成在上述基 底上,且位于上述闸极电极间之区域;以及 一第二导电型的低浓度扩散层,形成在上述汲极扩 散区下,因为其延伸至上述闸极电极下方之位置, 所以可当作电场缓和层, 其中上述低浓度扩散层中更包括有当作电场缓和 层之一第二导电型的中间浓度扩散层。2.如申请 专利范围第1项所述之半导体装置,其中 上述半导体基底为N--型; 上述源极和汲极扩散层皆为P+-型; 上述低浓度扩散层P---型;以及 上述中间浓度扩散层为P--型。3.如申请专利范围 第2项所述之半导体装置,其中上述半导体基底系 由N--型井扩散层以及P-型半导体基底构成。4.如申 请专利范围第2项所述之半导体装置,其中上述半 导体基底系由N--型井扩散层、埋入之氧化层以及P -型支持基底构成。5.如申请专利范围第2项所述之 半导体装置,其中上述半导体基底系由N--型井扩散 层、P-型半导体基底、埋入之氧化层以及P-型支持 基底构成。6.如申请专利范围第1项所述之半导体 装置,其中 上述半导体基底为P-型; 上述源极和及极扩散层皆为N+-型; 上述低浓度扩散层N---型;以及 上述中间浓度扩散层为N--型。7.如申请专利范围 第6项所述之半导体装置,其中上述半导体基底系 由P-型半导体基底构成。8.如申请专利范围第6项 所述之半导体装置,其中上述半导体基底系由P--型 半导体基底、埋入之氧化层以及P-型支持基底构 成。图式简单说明: 第一图系根据本发明之一实施例(实施例1)制作而 成之电晶体(P-通道半导体装置)之剖面图。 第二图系根据本发明之实施例2制作而成之电晶体 (N-通道半导体装置)之剖面图。 第三图系根据本发明之实施例3制作而成之电晶体 [在介电质分离基底(dielectric separation substrate)上形 成之P-通道半导体装置]之剖面图。 第四图系根据本发明之实施例4制作而成之电晶体 (在介电质分离基底上形成之N-通道半导体装置)之 剖面图。 第五图系根据本发明之实施例5制作而成之电晶体 (在介电质分离基底上制作之P-通道半导体装置)之 剖面图。 第六图系习知电晶体剖面图(P-通道半导体装置)。 |
