| 主权项 |
1.一种提高半导体晶圆之局部研磨速率的方法,至 少包含: 提供一半导体晶圆,在该半导体晶圆的表面定义至 少一个积体电路区域,在该半导体晶圆的周围留下 空白区域;以及 形成至少一个助研磨图案在该半导体晶圆的该空 白区域,提高在该空白区域的研磨速率。2.如申请 专利范围第1项所述之方法,其中该助研磨图案为 相同于该积体电路区域的图案。3.如申请专利范 围第1项所述之方法,其中形成该至少一个助研磨 图案在该空白区域,以提高在与该空白区域作圆心 对称之区域的研磨速率。4.如申请专利范围第1项 所述之方法,其中利用该助研磨图案提高该半导体 晶圆的局部研磨速率,是利用该助研磨图案活化化 学机械研磨机台之化学机械研磨垫。5.如申请专 利范围第1项所述之方法,其中该助研磨图案为具 有高低起伏表面形态的图案。6.一种提高半导体 晶圆之局部研磨速率的方法,至少包含: 提供一半导体晶圆,在该半导体晶圆的表面定义复 数个积体电路区域,在该积体电路之间留下空白区 域;以及 形成至少一个助研磨图案在该半导体晶圆的该空 白区域,提高在该空白区域的研磨速率。7.如申请 专利范围第6项所述之方法,其中该助研磨图案为 相同于该积体电路区域的图案。8.如申请专利范 围第6项所述之方法,其中形成该至少一个助研磨 图案在该空白区域,以提高在与该空白区域作圆心 对称之区域的研磨速率。9.如申请专利范围第6项 所述之方法,其中利用该助研磨图案提高该半导体 晶圆的局部研磨速率,是利用该助研磨图案活化化 学机械研磨机台之化学机械研磨垫。10.如申请专 利范围第6项所述之方法,其中该助研磨图案为具 有高低起伏表面形态的图案。11.一种提高半导体 晶圆之局部研磨速率的表面结构,至少包含: 复数个积体电路区域,定义在该半导体晶圆的表面 ,在该复数个积体电路区域之间具有空白区域,作 为该复数个积体电路之间的绝缘区域;以及 至少一个助研磨图案,定义在该空白区域,提高在 该空白区域的研磨速率。12.如申请专利范围第11 项所述之表面结构,其中该助研磨图案为相同于该 积体电路区域的图案。13.如申请专利范围第11项 所述之表面结构,其中形成该至少一个助研磨图案 在该空白区域,以提高在与该空白区域作圆心对称 之区域的研磨速率。14.如申请专利范围第11项所 述之表面结构,其中利用该助研磨图案提高该半导 体晶圆的局部研磨速率,是利用该助研磨图案活化 化学机械研磨机台之化学机械研磨垫。15.如申请 专利范围第11项所述之表面结构,其中该助研磨图 案为具有高低起伏表面形态的图案。16.一种提高 半导体晶圆之局部研磨速率的表面结构,至少包含 : 复数个积体电路区域,定义在该半导体晶圆的表面 ,在该半导体晶圆的周围具有空白区域;以及 至少一个助研磨图案,定义在该空白区域,提高在 该空白区域的研磨速率。17.如申请专利范围第16 项所述之表面结构,其中该助研磨图案为相同于该 积体电路区域的图案。18.如申请专利范围第16项 所述之表面结构,其中形成该至少一个助研磨图案 在该空白区域,以提高在与该空白区域作圆心对称 之区域的研磨速率。19.如申请专利范围第16项所 述之表面结构,其中利用该助研磨图案提高该半导 体晶圆的局部研磨速率,是利用该助研磨图案活化 化学机械研磨机台之化学机械研磨垫。20.如申请 专利范围第16项所述之表面结构,其中该助研磨图 案为具有高低起伏表面形态的图案。图式简单说 明: 第一图系显示习知技术之中,在半导体晶圆的表面 定义许多个积体电路区域,积体电路区域排列在晶 圆表面,在半导体晶圆的周围,留下许多空白区域, 没有任何图案; 第二图系显示在本发明之中,于半导体晶圆周围的 空白区域,形成助研磨图案,提高空白区域在化学 机械研磨制程之中的研磨速率; 第三图系显示在本发明之中,在半导体晶圆的积体 电路区域之间,形成助研磨图案,提高化学机械研 磨制程在此区域之中的研磨速率;以及 第四图与第五图分别显示半导体晶圆在经过化学 机械研磨制程之后,具有助研磨图案与不具有助研 磨图案时,所得的高度差的不同。 |
