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Beschrieben wird ein Verfahren zur lithographischen Maskenherstellung in der Halbleiterfertigung, bei dem für eine Vielzahl von Schritten unterschiedlicher Zusammensetzungen und/oder unterschiedlicher Herstellungstechnologien Masken erzeugt werden, wobei Messungen an belichteten und bereits entwickelten Masken vorgenommen werden und aus Messungen an solchen Masken, die für Schichten gleicher Zusammensetzung und Herstellungstechnologie bestimmt sind, ein Korrekturwert berechnet wird, mit dem bei einer bevorstehenden Belichtung eines Maskenfilms, der für eine weitere Schicht derselben Zusammensetzung und Herstellungstechnologie bestimmt ist, ein Parameter korrigiert wird. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß für die bevorstehende Belichtung des Maskenfilms der Zeitraum seit der Belichtung einer bereits entwickelten Maske, d. h. eine Folgezeit erfaßt wird, daß der Zeitraum zwischen der Belichtung und der Vermessung dieser bereits entwickelten Maske, d. h. eine Totzeit erfaßt wird, und daß bei der bevorstehenden Belichtung des Maskenfilms der Parameter in Abhängigkeit von der Folgezeit und der Totzeit korrigiert wird. Durch die Berücksichtigung der Folgezeiten und insbesondere der Totzeiten wird eine besonders zuverlässige Vorhersage einzustellender Belichtungsparameter ermöglicht.
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