| 摘要 |
<p>Cette invention concerne une tranche de référence (W1) destinée à contrôler la précision d'un dispositif d'alignement et comprenant un substrat (51) dont la surface porte un motif de référence. Ce motif de référence comprend une première région (54) présentant un premier facteur de réflexion d'amplitude, et une seconde région (53) présentant un second facteur de réflexion d'amplitude différent du premier facteur de réflexion d'amplitude. Le motif est planarisé de telle sorte que l'écart de niveau entre les surfaces des première et seconde régions est de quelque 50 nm, voire moins. Il est possible d'éviter la formation d'un revêtement irrégulier du à des différences de niveau superficiel entre la première région (54) et la seconde (53) et de parvenir à de bonnes caractéristiques d'étalement de la photorésine, même lorsque la couche appliquée sur la surface de la tranche de référence (W1) est extrêmement mince (de l'ordre de 0,3 νm). En contrôlant la précision du dispositif d'alignement au moyen de la tranche de référence (W1), on parvient à un degré de précision et de fiabilité élevé.</p> |
