| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines bipolaren Transistors |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69033711(D1) |
申请公布日期 |
2001.04.19 |
| 申请号 |
DE1990633711 |
申请日期 |
1990.04.24 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRONICS CORP., KADOMA |
发明人 |
SAWADA, SHIGEKI |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/225;H01L21/331;H01L21/60;H01L21/8222;H01L27/082;H01L29/08;H01L29/732;(IPC1-7):H01L29/73 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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