制造半导体器件的方法

摘要

制造半导体器件的方法,能够改善半导体层和电极间的粘附性和接触电阻。在利用淀积法等形成的绝缘层的整个表面上形成抗蚀膜,在其中提供对应于p侧电极图形的开口。在p侧接触层由绝缘层保护的同时,利用氧的光灰化处理去除抗蚀剂的残留物。用抗蚀膜作掩模,按自对准方式在绝缘层中形成开口并形成p侧电极。可抑制对p侧接触层的损伤。p侧电极可形成在p侧接触层的洁净表面上。

主权项

1．一种制造半导体器件的方法，所说半导体器件包括半导体层和与半导体层接触的电极，所说方法包括以下步骤：至少在半导体层的上表面上形成由抗腐蚀材料构成的保护层；在保护层的上表面上形成掩模层，然后在掩模层中形成开口，开口对应于所说电极的图形；在所说半导体层由保护层保护的同时，去除在掩模层中形成开口时产生和附着于开口内的残留物；利用所说掩模层选择性去除保护层的一个区域，该区域对应于所说开口，从而选择性暴露半导体层；及利用所说掩模层，在半导体层的暴露表面上形成电极。