发明名称 | 薄膜磁头坯料及其制造方法和薄膜磁头的制造方法 | ||
摘要 | 本发明的目的在于增多薄膜磁头的获得个数。在晶片中,成多列地排列磁头预定部分。此外,晶片有列间切断预定部分,和列内切断预定部分。在晶片中,在各列内切断预定部分的介质相对面侧的端部附近位置上,形成加工量检测元件。此外,在晶片中,在列间切断预定部分内,形成检测电极,而且,在各列内切断预定部分中,形成电连接各加工量检测元件与各检测电极的检测引线。 | ||
申请公布号 | CN1291767A | 申请公布日期 | 2001.04.18 |
申请号 | CN99121302.5 | 申请日期 | 1999.10.10 |
申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 佐佐木芳高;伊藤浩幸 |
分类号 | G11B5/31 | 主分类号 | G11B5/31 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 姜郛厚;叶恺东 |
主权项 | 1.一种薄膜磁头坯料,该薄膜磁头坯料有成多列地排列作为薄膜磁头的磁头预定部分,并成为相邻列间切断位置的列间切断预定部分,和作为各列中相邻磁头预定部分间切断位置的列内切断预定部分,其特征在于,该薄膜磁头坯料包括:检测对薄膜磁头坯料进行预定加工时的加工量的加工量检测元件,形成在所述列间切断预定部分中的使所述加工量检测元件与外部电连接的电极,和电连接该电极与所述加工量检测元件的导体部分。 | ||
地址 | 日本东京都 |