| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件的制造方法,它包括以下的步骤:使一种催化物质与一种含非晶态硅的半导体膜进行选择性部分接触,所述催化能够促进该半导体膜结晶化。对所述已带有催化物质的半导体膜进行退火,以使半导体膜结晶。以及,由半导体膜的顶表面对所述催化剂物质进行腐蚀,其中,该半导体膜基本上不受腐蚀步骤的作用。 | ||
| 申请公布号 | CN1291785A | 申请公布日期 | 2001.04.18 |
| 申请号 | CN00100943.5 | 申请日期 | 1994.02.15 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 张宏勇;鱼地秀贵;高山彻;山崎舜平;竹村保彦 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨丽琴 |
| 主权项 | 1．一种制造半导体器件的方法，它包括以下的步骤：使一种催化剂物质与一种含非晶态硅的半导体膜的选择性部分接触，所述催化剂能够促进该半导体膜结晶化；对所述已带有催化剂物质的半导体膜进行退火，以使该半导体膜结晶；以及，由所述半导体膜的顶表面对所述催化剂物质进行腐蚀，使该半导体膜基本上不受腐蚀步骤的作用。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||